[发明专利]一种硅基底制备方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种硅基底制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅片的正面沉积形成第一磷源层；

在第一预设温度下，将所述第一磷源层推进所述硅片，在所述硅片中形成第一预设深度的磷浓度分布层；

在硅片的正面沉积第二磷源层，以使所述第二磷源层在沉积的过程中向所述磷浓度分布层内扩散至第二预设深度，形成硅基底，所述第二预设深度小于所述第一预设深度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅片的正面沉积第二磷源层，以使所述第二磷源层在沉积的过程中向所述磷浓度分布层内扩散至第二预设深度，形成硅基底之后，还包括：

在所述第一预设温度下，对所述硅基底的正面进行氧化形成第一氧化层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一预设温度下，对所述硅基底的正面进行氧化形成第一氧化层之后，还包括：

在第二预设温度下，对所述硅基底的正面进行氧化形成第二氧化层，所述第二预设温度小于所述第一预设温度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在第二预设温度下，对所述硅基底的正面进行氧化形成第二氧化层之前，还包括：

在所述第二预设温度下，在所述硅基底的正面沉积第三磷源层，以使所述第三磷源层向所述第一氧化层内扩散。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅片的正面沉积形成第一磷源层之前，还包括：

在第二预设温度下，对所述硅片的表面进行氧化，获得第三氧化层；

所述在硅片的表面上沉积形成第一磷源层包括：

在所述第二预设温度下，在所述硅片的第三氧化层上沉积形成所述第一磷源层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片包括单晶硅片、多晶硅片、微晶硅片、纳米晶硅片或非晶硅片中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度为800℃至900℃中的至少一个。

8.根据权利要求3至5任一项所述的方法，其特征在于，所述第二预设温度为700℃至850℃中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设深度为200纳米～400纳米之间的任意数值；

所述第二预设深度小于50纳米。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括如权利要求1至9任一项所述的硅基底制备方法制备得到的硅基底。