[发明专利]OLED显示面板制备方法和OLED显示面板有效
申请号: | 202010971126.9 | 申请日: | 2020-09-16 |
公开(公告)号: | CN112164708B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 张乐陶;张良芬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示面板制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
依次在所述衬底基板上形成阵列层、平坦层;
在所述平坦层上形成一导电层,对所述导电层进行图案化处理形成阳极;
在所述阳极上方制备具有遮光性的有机光阻形成一有机光阻层,对所述有机光阻层进行图案化形成位于相邻所述阳极之间的像素定义层;
利用等离子体氟化处理所述像素定义层表面,在所述像素定义层表面形成一疏水层,在所述疏水层下方的所述像素定义层中,氟的含量占碳、氧、氟、氮元素含量的比例不超过百分之八,所述像素定义层中所述氟的含量在远离所述疏水层的方向上依次递减;
在阳极上依次形成发光层、阴极、以及封装层。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,形成所述像素定义层的步骤还包括:在所述阳极上方制备黑色矩阵材料形成一有机光阻层,对所述有机光阻层进行图案化形成像素定义层。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,形成所述像素定义层的步骤还包括:在所述阳极上方制备红色色阻材料形成一有机光阻层,对所述有机光阻层进行图案化形成像素定义层。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,形成所述疏水层的步骤还包括:通入三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫中的任一种含氟气体对所述像素定义层表面进行氟化处理,形成一疏水层。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,形成所述疏水层的步骤还包括:通入三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫中的至少两种的混含氟气体对所述像素定义层表面进行氟化处理,形成一疏水层。
6.一种OLED显示面板,其特征在于,包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的阵列层、以及设置在所述阵列层上的平坦层,还包括设置在所述平坦层上的阳极、以及设置在相邻阳极之间的像素定义层,在所述阳极上方设置有发光层、阴极、封装层,其中,所述像素定义层的制备材料为遮光材料所述像素定义层上设置有疏水层,在所述疏水层下方的所述像素定义层中,氟的含量占碳、氧、氟、氮元素含量的比例不超过百分之八,所述像素定义层中所述氟的含量在远离所述疏水层的方向上依次递减。
7.如权利要求6所述的OLED显示面板,其特征在于,所述疏水层的疏水材料还设置在像素定义层靠近所述发光层一侧表面。
8.如权利要求7所述的OLED显示面板,其特征在于,所述阵列层包括阵列分布的TFT器件,所述阳极包括一金属膜层,所述金属膜层与所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述TFT器件在所述衬底基板上的正投影,所述金属膜层与所述像素定义层用于一同阻挡射向所述TFT器件的反射光。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板,其特征在于,所述疏水层位于像素定义层的上表面,所述疏水层至少包括氟元素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的