[发明专利]基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列

说明书

本发明涉及集成电路技术领域，涉及一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列。所述方法包括：在电路设计双互锁存储单元DICE结构的基础上，在不能共用源端和漏端的起开关作用的NMOS管之间增加NMOS隔离管，增加的所述NMOS隔离管的栅极接GND。解决了现有版图技术中，相邻NMOS管之间，在总剂量辐射下会产生漏电流的问题。对电路设计中敏感MOS管在版图方面进行交叉布局，拉大敏感节点的距离，从而大大降低单粒子辐射时电路翻转的概率。达到了在没有影响功能的前提下使得SRAM存储单元及阵列具有抗辐射能力的效果。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列。

背景技术

SRAM(Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器)大量用于航空航天领域。由于空间应用环境复杂，空间高能带电粒子与器件相互作用，导致存储器的电参数变化，数据出错或丢失而不能正常工作，如何保证器件在辐射环境下正常工作，提高SRAM存储单元的抗辐射性能，是一直以来研究的热点。

标准的SRAM基本存储单元结构不具备在辐射环境中应用的价值。现有技术中，晶体管与晶体管之间靠场氧隔离。在常规环境中，场氧没有导电沟道，不会有漏电流，而在辐射环境中，有可能形成场氧下反型的漏电沟道，从而延伸到邻近的NMOS的源/漏区，导致相邻NMOS管之间产生漏电流。与此同时，单粒子辐射也可能导致器件翻转，功能失效。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列，以解决现有技术中的问题。

根据第一方面，本发明实施例提供了一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法，所述方法包括：

在电路设计双互锁存储单元DICE结构的基础上，在不能共用源端和漏端的起开关作用的NMOS管之间增加NMOS隔离管且NMOS隔离管的栅极接GND。

可选的，所述方法还包括：

对所述SRAM存储单元中共用源端的NMOS根据预设规则增加P隔离环。

可选的，所述P隔离环接GND。

可选的，所述方法还包括：

对所述SRAM存储单元中共用源端的PMOS根据预设规则增加N隔离环。

可选的，所述N隔离环接VDD。

可选的，所述SRAM存储单元的VDD和GND纵横交错，形成井字。

可选的，所述SRAM存储单元中横向布局的VDD和GND采用三铝。

可选的，所述SRAM存储单元中纵向布局的VDD和GND采用五铝。

可选的，所述方法还包括：

对敏感MOS管在版图方面进行交叉布局，使得每对敏感节点的距离都相同，且同时达到最大。

基于以上两点单元加固，同时提供了一种基于DICE结构的SRAM存储阵列，所述SRAM存储阵列为通过第一第二方面所述的方法制作得到。

通过在电路设计DICE结构的基础上，在不能共用源端和漏端的起开关作用的NMOS管之间增加NMOS隔离管，增加的所述NMOS隔离管的栅极接GND，使得相邻的NMOS管隔离后不存在漏电通路，解决由总剂量辐射对存储单元造成的漏电影响。

通过版图布局上把容易翻转的敏感节点对进行交叉布局，结合DICE结构的电路设计，大大降低了单粒子翻转概率以同时可以让电路有修复的时间，从而提高单元的抗单粒子能力。