[发明专利]顶针升降装置和半导体工艺腔室

权利要求书

1.一种顶针升降装置，用于驱动半导体工艺腔室中的多个顶针同步升降，以使所述顶针的顶端高于或低于基座的承载面，其特征在于，所述顶针升降装置包括升降本体、升降连接件和气压控制结构，其中，在所述升降本体中设置有空腔；

所述升降连接件可升降的设置在所述空腔中，用于与各个所述顶针连接，并且所述升降连接件将所述空腔分隔成上部空间和下部空间；

所述气压控制结构用于通过控制所述上部空间与下部空间的气体压力差，来驱动所述升降连接件升降，以带动多个所述顶针同步升降。

2.根据权利要求1所述的顶针升降装置，其特征在于，所述上部空间与所述工艺腔室相连通；所述下部空间为封闭空间；

所述气压控制结构用于通过向所述下部空间中通入气体或者抽取所述下部空间中的气体，来控制所述上部空间与下部空间之间的气体压力差。

3.根据权利要求2所述的顶针升降装置，其特征在于，所述气压控制结构包括第一气路、第二气路、充气装置和抽气装置，其中，所述第一气路的两端分别与所述下部空间和所述抽气装置连接，且在所述第一气路上设置有第一通断阀；

所述第二气路的两端分别与所述下部空间和所述充气装置连接，且在所述第二气路上设置有第二通断阀；

所述抽气装置用于通过所述第一气路抽取所述下部空间中的气体；

所述充气装置用于通过所述第二气路向所述下部空间中通入气体。

4.根据权利要求3所述的顶针升降装置，其特征在于，所述充气装置包括压力平衡气路，所述压力平衡气路的一端与所述工艺腔室的内部连通，所述压力平衡气路的另一端与所述第二气路的一端连接，所述第二气路的另一端与所述下部空间连通。

5.根据权利要求4所述的顶针升降装置，其特征在于，所述第二气路的另一端与所述第一气路连接，以通过所述第一气路与所述下部空间连通，且所述第二气路的另一端与所述第一气路连接的连接点位于所述第一通断阀与所述下部空间之间。

6.根据权利要求4所述的顶针升降装置，其特征在于，所述压力平衡管路或者所述第二气路上还设置有限流装置，所述限流装置用于限制所述压力平衡管路或者所述第二气路中的气体流量。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的顶针升降装置，其特征在于，所述顶针升降装置还包括弹性件，所述弹性件设置在所述下部空间中，且分别与所述升降连接件和所述空腔的底壁连接，用以向所述升降连接件施加弹性支撑力，所述弹性支撑力的大小被设置为当所述上部空间与下部空间的气体压力相等时，使各个所述顶针的上端高于所述基座的承载面。

8.根据权利要求7所述的顶针升降装置，其特征在于，所述弹性件包括至少一个压缩弹簧。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的顶针升降装置，其特征在于，所述空腔包括间隔设置在所述升降本体中的多个子空腔，所述子空腔的数量与所述顶针的数量相同；

所述升降连接件为多个，且各个所述升降连接件一一对应地设置在各个所述子空腔中，用于与对应的所述顶针连接；并且，各个所述升降连接件将对应的所述子空腔分隔成所述上部空间和所述下部空间；

所述气压控制结构用于同时控制各个所述子空腔的所述上部空间与下部空间的气体压力差。

10.一种半导体工艺腔室，包括用于承载被加工工件的基座、沿同一圆周方向间隔分布的多个顶针以及用于驱动多个所述顶针同步升降的顶针升降装置，其特征在于，所述顶针升降装置采用权利要求1-9任意一项所述的顶针升降装置。

11.根据权利要求10所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述升降本体设置在所述基座中；并且，在所述基座中，且位于所述空腔的上方设置有多个导向孔，各个所述导向孔的下端均与所述空腔相连通；各个所述顶针一一对应地设置在各个所述导向孔中，且所述顶针的下端通过所述导向孔延伸至所述空腔中，并与所述升降连接件连接。