[发明专利]电源开关电路与其集成电路结构以及集成电路结构形成方法

说明书

本发明实施例涉及电源开关电路与其集成电路结构以及集成电路结构形成方法。一种集成电路装置包含：集成电路模块；第一场效应晶体管，其耦合于所述集成电路模块与第一参考电压之间且由第一控制信号控制；及第二场效应晶体管，其耦合于所述集成电路模块与所述第一参考电压之间；其中所述第二场效应晶体管是所述第一场效应晶体管的互补场效应晶体管，且所述第一场效应晶体管及所述第二场效应晶体管经配置以根据所述第一控制信号产生所述集成电路模块的第二参考电压。

技术领域

本发明实施例涉及电源开关电路与其集成电路结构以及集成电路结构形成方法。

背景技术

电源开关耦合于供应电源与功能电路之间以选择性供应电力到功能电路。例如，当功能电路是在休眠模式下时，可打开电源开关以切断功能电路的电力以减少电路系统的电力消耗。电源开关可由控制器产生的信号控制，控制器可控制功能电路的操作模式。为提高电路系统的操作速度，电源开关应具有强唤醒力以在(例如)功能电路的操作模式从休眠模式改变为正常操作模式时使功能电路通电。然而，具有强唤醒力的电源开关要占用电路系统的大面积。因此，在先进IC(集成电路)装置的领域中高度期望无面积补偿的电源开关的新颖架构。

发明内容

本发明的实施例涉及一种集成电路装置，其包括：集成电路模块；第一场效应晶体管，其耦合于所述集成电路模块与第一参考电压之间且由第一控制信号控制；及第二场效应晶体管，其耦合于所述集成电路模块与所述第一参考电压之间；其中所述第二场效应晶体管是所述第一场效应晶体管的互补场效应晶体管，且所述第一场效应晶体管及所述第二场效应晶体管经配置以根据所述第一控制信号产生所述集成电路模块的第二参考电压。

本发明的实施例涉及一种集成电路(IC)结构，其包括：第一扩散纳米线，其放置于衬底上；第二扩散纳米线，其沿第一方向堆叠于所述第一扩散纳米线上；多个第一导电层，其经布置以包围所述第一扩散纳米线以形成第一栅极电极，其中所述多个第一导电层经布置以沿第二方向延伸；及多个第二导电层，其经布置以包围所述第二扩散纳米线以形成第二栅极电极，其中所述多个第二导电层经布置以沿所述第二方向延伸；其中所述第一扩散纳米线的第一部分经配置以电耦合到第一参考电压，所述第二扩散纳米线的第二部分经配置以电耦合到第二参考电压，且所述第一扩散纳米线的第三部分经配置以电耦合到所述第二扩散纳米线的第四部分，所述第一扩散纳米线的所述第一部分沿所述第一方向与所述第二扩散纳米线的所述第二部分对准，且所述第一扩散纳米线的所述第三部分沿所述第一方向与所述第二扩散纳米线的所述第四部分对准。

本发明的实施例涉及一种形成集成电路(IC)结构的方法，其包括：将第一扩散纳米线放置于衬底上；沿第一方向将第二扩散纳米线放置于所述第一扩散纳米线上；形成多个第一导电层以包围所述第一扩散纳米线以形成第一栅极电极，其中所述多个第一导电层经布置以沿第二方向延伸；及形成多个第二导电层以包围所述第二扩散纳米线以形成第二栅极电极，其中所述多个第二导电层经布置以沿所述第二方向延伸；其中所述第一扩散纳米线的第一部分经配置以电耦合到第一参考电压且所述第二扩散纳米线的第二部分经配置以电耦合到第二参考电压；所述第一扩散纳米线的第三部分经配置以电耦合到所述第二扩散纳米线的第四部分；且所述第一扩散纳米线的所述第一部分沿所述第一方向与所述第二扩散纳米线的所述第二部分对准，且所述第一扩散纳米线的所述第三部分沿所述第一方向与所述第二扩散纳米线的所述第四部分对准。

附图说明

从结合附图来解读的以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1是说明根据一些实施例的电子设计自动化系统的图式。

图2说明设计及制造基于半导体的电路的方法的实例。

图3是说明根据一些实施例的IC装置的图式。

图4是说明根据一些实施例的电源开关电路的中间供应电压的时序图。