[发明专利]一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑在审

专利信息
申请号: 202010973314.5 申请日: 2020-09-16
公开(公告)号: CN112054699A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 张雷;周玲玲;姚子豪;郑一专;高嘉洛;孙艺鹤;陈礼先;戴腾飞 申请(专利权)人: 南通大学
主分类号: H02M7/06 分类号: H02M7/06;H02M3/335
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226019 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 pcb 板级熔喷布驻极 电源 拓扑
【权利要求书】:

1.一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑,其特征在于:所述拓扑由以下部件构成:交流电源(Va),第一滤波电容(C1)、第二滤波电容(C2),第一均压电阻(R1)、第二均压电阻(R2),谐振电感(Lr),谐振电容(Cr),板上升压变压器(T),第一开关管MOSFET(M1)、第二开关管MOSFET(M2)和多个二极管,其中,由第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)组成低压侧的不控整流桥,且交流电源(Va)和低压侧不控整流桥相连;由所述第一开关管MOSFET(M1)、第二开关管MOSFET(M2)串联构成半桥。

2.根据权利要求1所述的一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑,其特征在于:所述第一滤波电容(C1)和第二滤波电容(C2)的中间端口接谐振电感(Lr)、谐振电容(Cr)和板上升压变压器低压侧一端,变压器低压侧另一端与第一开关管MOSFET(M1)、第二开关管MOSFET(M2)的中间端口相连接,构成半桥LLC谐振逆变电路。

3.根据权利要求1所述的一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑,其特征在于:第五二极管(D5i)、第六二极管(D6i)、第七二极管(D7i)、第八二极管(D8i)(i=1,2,3,…,N)组成高压侧的不控整流桥。

4.根据权利要求3所述的一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑,其特征在于:高压侧的不控整流桥每个桥臂由多个二极管串联构成,且高压侧二极管每个管脚焊盘之间均需在PCB板上开槽,板极升压变压器输出侧端口焊盘之间在PCB上开槽。

5.实现权利要求1所述的一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑的使用方法,其特征在于:其使用方法包括以下步骤:

A.低压侧不控整流桥:所述第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)组成低压侧的不控整流桥,经过第一滤波电容(C1)、第二滤波电容(C2)将单相交流电变为直流电。

B.半桥式LLC谐振电路:第一开关管MOSFET(M1)、第二开关管MOSFET(M2)构成一半桥结构,其驱动信号互补,且占空比均为固定值0.5,谐振电感(Lr),谐振电容(Cr)与板上升压变压器原边侧构成LLC谐振网络,变压器原边侧电压的大小根据Lr、Cr谐振网络阻抗公式改变开关管MOSFET的开关频率f实现;

C.高压侧不控整流桥:第五二极管(D5i)、第六二极管(D6i)、第七二极管(D7i)、第八二极管(D8i)(i=1,2,3,…,N)组成高压侧的不控整流桥,将交流电转化为为40kV左右的高压直流电,通过改变开关频率即可调节输出高电压。

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