[发明专利]一种半导体激光器边缘稳频系统

权利要求书

1.一种半导体激光器边缘稳频系统，其特征在于，包括：恒流源模块和稳频模块，所述恒流源模块包括参考半导体激光器、调制源、第一恒电流源、原子基准单元、第一光电探测器、第一锁相放大器和第一分波片，所述稳频模块包括稳频半导体激光器、受控调制源、第二恒电流源、选频基准单元、第二光电探测器、第二锁相放大器和第二分波片；

所述参考半导体激光器在所述调制源和所述第一恒电流源的联合驱动下输出幅度调制的工作频率激光，穿过透过率峰值与激光工作频率一致的所述原子基准单元后，被所述第一分波片截取部分激光导向所述第一光电探测器并由所述第一光电探测器接收，接收的光信号转换成电信号后经所述第一锁相放大器处理，驱动所述第一恒电流源稳定，使所述参考半导体激光器输出稳定的工作频率激光，用于驱动该参考半导体激光器输出稳定的工作频率激光的驱动电流就成了一个标准恒流源；

通过采样电路将所述标准恒流源转换成基准电压输出给所述稳频模块的受控调制源，用于产生高精度幅度正弦信号，形成过零点的二次谐波鉴频信号，所述二次谐波鉴频信号为稳频半导体激光器的稳频鉴频信号，所述受控调制源与所述第二恒电流源叠加，驱动所述稳频半导体激光器产生工作频率激光，其穿过所述选频基准单元后，被所述第二分波片截取部分激光导向所述第二光电探测器并由所述第二光电探测器接收，接收的光信号转换成电信号后经所述第二锁相放大器处理，驱动所述稳频半导体激光器输出稳定频率的激光。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器边缘稳频系统，其特征在于，所述选频基准单元为原子基准或分子基准，当为原子基准时，边缘稳频系统为原子基准的边缘稳频系统，所述恒流源模块和所述稳频模块共用一个原子基准；当为分子基准时，边缘稳频系统为分子基准的边缘稳频系统。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器边缘稳频系统，其特征在于，所述调制源和所述受控调制源均采用正弦信号发生电路。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器边缘稳频系统，其特征在于，所述恒流源模块的光学部分采用饱和吸收布局。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器边缘稳频系统，其特征在于，所述第一锁相放大器处理为1f倍频锁相处理。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器边缘稳频系统，其特征在于，所述第二锁相放大器处理为2f倍频锁相处理。