[发明专利]一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源

权利要求书

1.一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源，其特征在于，包括偏置产生与电源电压预调节电路、带隙基准核心电路、高温补偿电路和低温补偿电路；依次连接偏置产生与电源电压预调节电路、带隙基准核心电路、低温补偿电路和高温补偿电流。

2.根据权利要求1所述一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源，其特征在于，所述偏置产生与电源电压预调节电路包含PMOS管M1、M2、M3、M4、M7，M11，NOMS管M5、M6、M8、M10、M12，电阻R1、R2、R3以及运算放大器OP1；

所述运算放大器OP1的正向输入端连接NOMS管M5的源极、NOMS管M6的栅极以及电阻R1电流输入端；所述的运算放大器OP1的反向输入端连接所述NOMS管M10的栅极、漏极以及所述电阻R2电流输出端；所述运算放大器OP1的输出端连接PMOS管M7的栅极；

所述的电阻R2电流输入端连接NOMS管M8的源极；

所述的电阻R3电流输入端连接NOMS管M12的源极；

所述的PMOS管M1的栅极连接PMOS管M1的漏极、PMOS管M2的栅极和PMOS管M3的源极；

所述的PMOS管M2的漏极连接PMOS管M4的源极；

所述的PMOS管M3的漏极连接NOMS管M5的漏极；

所述的PMOS管M4的漏极连接NOMS管M5的栅极、NOMS管M6的漏极，以及NOMS管M12的栅极；

所述NOMS管M7的漏极连接NOMS管M8的漏极、栅极，以及PMOS管M11的源极；

所述的NOMS管M7的漏极输出预调节电压VDDL；

所述的NOMS管M12的漏极连接PMOS管M11的栅极、PMOS管M11的漏极；

所述的PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极、NMOS管M7的源极连接电源电压VDD；

所述的PMOS管M3的栅极、PMOS管M4的栅极、NOMS管M6的源极、电阻R1电流输出端、电阻R3电流输出端和NOMS管M10的源极连接GND；

3.根据权利要求1所述一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源，其特征在于，所述带隙基准核心电路包含PMOS管M13、M14、M15、M16、M17、M18，电阻R4、R5、R6，运算放大器OP2；

所述运算放大器OP2的正向输入端连接PMOS管M15的漏极和PMOS管M16的漏极、栅极和源极；所述运算放大器OP2的反向输入端连接PMOS管M13的漏极和电阻R4电流输入端；所述运算放大器OP2的输出端V_OP2连接PMOS管M13的栅极，PMOS管M15的栅极，以及PMOS管M17的栅极；

所述的电阻R4电流输出端连接PMOS管M14的漏极、栅极、源极；

所述的电阻R5电流输入端连接PMOS管M17的漏极，所述的电阻R5电流输出端连接所述电阻R6电流输入端；

所述的电阻R5电流输入端连接参考电压V_ref；

所述的电阻R6电流输入端连接补偿电压V_N；

所述的电阻R6电流输出端连接PMOS管M18的漏极、源极、栅极；

所述的PMOS管M14的基极、PMOS管M16的基极、PMOS管M18的基极连接GND；

所述的PMOS管M13的源极、PMOS管M15的源极、PMOS管M17的源极连接预调节电压V_DDL。