[发明专利]一种去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置及方法有效

专利信息
申请号: 202010974153.1 申请日: 2020-09-16
公开(公告)号: CN112275696B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 许剑锋;张吉韬;贾凯 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: B08B3/02 分类号: B08B3/02;B08B13/00;H01L21/02
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 孔娜;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 去除 硅片 表面 吸附 纳米 颗粒 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置,其特征在于:

所述装置包括真空组件及连接于所述真空组件的液滴发射及加速组件;所述液滴发射与加速组件包括液体存储器、石墨电极、PEEK毛细管、熔融石英毛细管及萃取电极;

所述液体存储器设置在所述真空组件上方,其用于收容导电溶液;所述石墨电极设置在所述液体存储器上,其一端用于与直流电源相连接,另一端用于与所述导电液体相接触;所述PEEK毛细管的一端与所述液体存储器相连接,另一端与所述熔融石英毛细管相连接,所述熔融石英毛细管的一端伸入所述真空组件内;所述萃取电极设置在所述真空组件内,且其与所述熔融石英毛细管所形成的发射尖端相对设置,所述萃取电极活动地连接于所述萃取电极安装导杆上,其通过沿所述萃取电极安装导杆移动来改变所述萃取电极与所述熔融石英毛细管之间的间距;

其中,所述萃取电极接地;工作时,所述石墨电极连接所述直流电源,使得所述发射尖端与所述萃取电极之间产生电压降,该电压降产生的电场将所述导电液体进行破碎、发射及加速。

2.如权利要求1所述的去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置,其特征在于:所述直流电源的电压为0~30000V。

3.如权利要求1所述的去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置,其特征在于:所述真空组件包括真空腔体;所述液滴发射与加速组件还包括安装基座、液体存储器支架及萃取电极安装导杆,所述安装基座设置在所述真空腔体上,所述液体存储器支架设置在所述安装基座上,所述液体存储器安装在所述液体存储器安装支架上;所述萃取电极安装导杆的一端连接于所述安装基座,另一端伸入所述真空腔体内。

4.如权利要求3所述的去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置,其特征在于:所述装置包括设置在所述真空腔体内的垂直升降台,所述垂直升降台用于承载硅片,并带动所述硅片上下移动,以将所述硅片与所述萃取电极之间的间距在50~200mm的范围内调节。

5.如权利要求3所述的去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置,其特征在于:所述真空组件还包括热阴极真空计、法兰电极、机械泵及排气阀门,所述机械泵、所述热阴极真空计、所述法兰电极及所述排气阀门分别设置在所述真空腔体上。

6.如权利要求3所述的去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置,其特征在于:所述PEEK毛细管的两端分别通过PEEK接口与所述液体存储器及所述安装基座相连接。

7.如权利要求6所述的去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置,其特征在于:所述安装基座开设有螺纹孔,所述螺纹孔与对应的所述PEEK接口配合。

8.如权利要求1-6任一项所述的去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置,其特征在于:所述液体存储器是采用聚甲醛树脂材料加工而成的。

9.一种去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:首先,提供权利要求1-8任一项所述的去除硅片表面吸附纳米级颗粒物的装置,并将待清洁硅片设置在所述装置上;接着,采用所述装置对硅片进行清洁。

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