[发明专利]一种钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将不含Dy的钕铁硼主合金粉A与含Dy的钕铁硼辅合金粉B，按比例混合后烧结，得到含Dy核壳结构的基体；

将基体置于含Tb物质中，得到中间体；所述将基体置于含Tb物质中包括在基体表面涂敷Tb化合物或金属Tb粉，以及溅射金属Tb中至少一种，所述Tb化合物为氢化铽、铽铜氢化物或Tb₇₀Cu₂₀Ga₁₀中至少一种；

将中间体置于烧结炉中进行Tb扩散，得到Dy-Tb双层核壳结构的烧结钕铁硼磁体，所述钕铁硼磁体不含La和/或Ce、Sm、Eu、Gd、Er、Tm、Yb、Lu、Y元素。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼磁体表层的钕铁硼晶粒具有Dy-Tb双层核壳结构，所述Dy-Tb双层核壳结构中Dy核壳位于Tb核壳的内部，所述钕铁硼磁体表层的厚度≤150μm。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼磁体表层的厚度≤20μm。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼磁体表层的厚度≤15μm。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述扩散温度为850-930℃，扩散时间为4h-16h。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，扩散后还包括回火步骤。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述回火步骤为温度490℃，时间3h。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼磁体的磁能积提升≥0.29MGOe。