[发明专利]一种存储器以及一种存储器的制作方法

说明书

本申请公开了一种存储器以及一种存储器的制作方法，该存储器包括：衬底、电路走线层、第一绝缘层、连接元件、导电支柱、第二绝缘层和存储元件，其中，所述第一绝缘层具有第一通孔，所述连接元件位于所述第一通孔内，所述导电支柱电连接所述连接元件和所述存储元件，所述导电支柱朝向所述连接元件一侧端面尺寸不小于所述第一通孔朝向所述导电支柱一侧端面尺寸与第一迭对冗余量之和，使得所述导电支柱朝向所述连接元件一侧端面完全覆盖所述连接元件，能够阻挡位于所述第一通孔中的所述连接元件的材料从所述第一通孔中扩散出来，降低所述存储器发生短路的概率，提高所述存储器的性能。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储器以及一种存储器的制作方法。

背景技术

近年来，随着电子产品的普及和发展，市场对存储器的需求急剧增长，相应的，半导体存储器的集成度越来越高，尺寸越来越小。现有存储器通常包括衬底、底部电路、与所述底部电路电连接的导电通孔、存储元件以及连接所述导电通孔和所述存储元件的导电支柱。但是，现有存储器的制作工艺中，所述导电通孔中的材料容易扩散出来，影响所述存储器的性能。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种存储器及其制作方法，以降低所述导电通孔中的材料扩散出来的概率，提高所述存储器的性能。

具体的，本申请实施例提供了一种存储器，包括：

衬底；

位于所述衬底上的电路走线层；

位于所述电路走线层背离所述衬底一侧的第一绝缘层，所述第一绝缘层中具有第一通孔；

位于所述第一通孔内的连接元件；

位于所述第一绝缘层背离所述电路走线层一侧的导电支柱和第二绝缘层；

位于所述导电支柱背离所述第一绝缘层一侧的存储元件；

其中，所述导电支柱电连接所述连接元件与所述存储元件，且所述导电支柱朝向所述连接元件一侧端面尺寸不小于所述第一通孔朝向所述导电支柱一侧端面尺寸与第一迭对冗余量之和。

可选的,所述存储元件朝向所述导电支柱一侧端面的尺寸不小于所述导电支柱朝向所述存储元件一侧的端面的尺寸与第二迭对冗余量之和。

可选的，所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧表面与所述导电支柱背离所述第一绝缘层一侧表面平齐。

可选的，所述导电支柱包括层叠的第一导电支柱和第二导电支柱，所述第一导电支柱对所述连接元件中材料扩散的阻挡效果大于所述第二导电支柱对所述连接元件中材料扩散的阻挡效果，所述第二导电支柱的导电系数不小于所述第一导电支柱的导电系数。

可选的，所述第一导电支柱的材料为Ta、TaN或TiN，所述第二导电支柱的材料为Ta或TiN。

可选的，所述连接元件的材料为铜、钨或氮化钽。

可选的，所述存储元件为磁阻式随机存取存储器、可变电阻式存储器或铁电随机存储器。

本申请实施例还提供了一种存储器制作方法，包括：

在衬底上形成电路走线层；

在所述电路走线层背离所述衬底一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层中具有第一通孔；

在所述第一通孔内形成连接元件；

在所述第一绝缘层背离所述电路走线层一侧形成导电支柱和第二绝缘层；

在所述导电支柱背离所述第一绝缘层一侧形成存储元件；