[发明专利]一种解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺

权利要求书

1.一种解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺，其特征在于，步骤如下：

S1、金属化：采用磁控溅射加工工艺，在瓷片表面形成一组导电且具有结合力的多层金属层；

S2、匀胶：在金属化完毕后的产品表面均匀涂一层胶层做保护；

S3、曝光：使用掩膜板进行图形曝光，使切割道区域受光，发生化学反应；

S4、显影：受光位置变性后在显影液里发生化学反应，使其脱落，形成图形；

S5、镀金：在受光位置的基片表面进行电镀金，使其厚度达到2.5um以上；

S6、去胶：去掉切割道表层的保护胶；

S7、划片：用刀片进行切割加工，整个切割道是在刀片路径内；

S8、测试：进行电性能测试和外观检查。

2.如权利要求1所述的解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺，其特征在于，所述胶层的厚度为4-5um。

3.如权利要求1所述的解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺，其特征在于，曝光、显影后切割道宽度小于刀片宽度5-10um。