[发明专利]一种微机械设备的制备方法在审
| 申请号： | 202010975172.6 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112093773A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 戴维·L·马克斯;森克·阿卡尔 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/04 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微机 设备 制备 方法 | ||
1.一种制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，于一第一晶圆的第一侧面和第二侧面生成厚度相同的氧化层，并于所述第一侧面创建一对齐标记；
步骤S2，于所述第一晶圆的第二侧面采用空腔光刻进行图案刻蚀；
步骤S3，将一第二晶圆与所述第一晶圆进行熔合，所述第二晶圆的第三侧面与所述第二侧面相接触；
步骤S4，对所述第二晶圆进行打薄；
步骤S5，依设计于所述第二晶圆创建多个深反应离子刻蚀的第一通孔并进行验证；
步骤S6，将所述第二晶圆与一第三晶圆进行融合，所述第二晶圆的第四侧面与所述第三晶圆相接触，所述第三晶圆包括多个第二通孔；
步骤S7，研磨所述第三晶圆使得所述第二通孔暴露。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一晶圆为帽盖晶圆。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二晶圆为MEMS晶圆。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第二晶圆厚度均匀。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三晶圆为通孔晶圆或ASIC晶圆。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二晶圆为去除氧化层的未蚀刻原始层。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二晶圆预先设置有一经深反应离子刻蚀的图案结构。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度的取值范围为[450nm，550nm]。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，于所述步骤S5中，完成所述验证后需去除所述第四侧面的氧化层。
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