[发明专利]一种高纯氧化铝陶瓷基板的制备方法

权利要求书

1.一种高纯氧化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、料浆配制：将重量份数为99-99.5份的高纯氧化铝粉、重量份数为0.5-1份的烧结助剂放入球磨机中，以水为溶剂，加入水溶性分散剂，研磨混合，得到陶瓷料浆；

S2、成型：将所述陶瓷料浆真空除泡后装入料浆桶，加入催化剂和引发剂，搅拌均匀，将所述料浆桶接入气源，开启气源对所述料浆桶中的陶瓷料浆施加压力以控制所述料浆桶中的陶瓷料浆通过连通所述料浆桶和模具底部的注浆口的连通管自模具底部的注浆口注入模具内，以使陶瓷料浆在模具内自下而上流动直至陶瓷料浆注满模具，固化后脱模，得到陶瓷坯体；

S3、切片：烘干所述陶瓷坯体，将烘干后的陶瓷坯体软化，切制成坯片，自然干燥；

S4、烧结：将S3步骤处理后的坯片烧结，抚平，得到陶瓷基板。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在S2步骤中，开启气源对所述料浆桶中的陶瓷料浆施加压力以控制所述料浆桶中的陶瓷料浆通过连通所述料浆桶和模具底部的注浆口的连通管自模具底部的注浆口注入模具内时的注入速度为340-580ml/min。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高纯氧化铝粉包括平均粒径为1-1.5μm的α-Al₂O₃和平均粒径为2.5-3.5μm的α-Al₂O₃。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述高纯氧化铝粉中，所述平均粒径为1-1.5μm的α-Al₂O₃的重量百分比为60wt％-90wt％，所述平均粒径为2.5-3.5μm的α-Al₂O₃的重量百分比为10wt％-40wt％。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结助剂包括氧化钛、氧化钇、氧化镁、氧化镧、氧化铈中的一种或多种。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，以重量份数计，所述烧结助剂包括氧化钛0-0.35份、氧化钇0.1-0.3份、氧化镁0-0.25份、氧化镧0-0.3份和氧化铈0-0.25份。

7.一种用于权利要求1至6中任一项所述的制备方法的成型装置，其特征在于，所述成型装置包括：

用于存储料浆的料浆桶；

供气速度可控的供气装置，所述供气装置作为气源用于向所述料浆桶供给气体；

成型模具，所述成型模具的底部设置注浆口，所述成型模具的顶部设置排气孔；

其中，所述料浆桶的上部一端与所述供气装置通过连通管连通、所述料浆桶的上部另一端与所述成型模具的底部的注浆口通过连通管连通。

8.如权利要求7所述的成型装置，其特征在于，所述成型模具还包括沿竖直方向间隔布置的成型壁、位于相邻成型壁之间的成型腔室。

9.如权利要求8所述的成型装置，其特征在于，所述成型壁与与其相邻的成型腔室之间还设置有聚氯乙烯垫条。

10.一种高纯氧化铝陶瓷基板，其特征在于，所述高纯氧化铝陶瓷基板根据权利要求1至6中任一项所述的方法制备。