[发明专利]基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器及制备方法在审
| 申请号： | 202010975435.3 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN111965572A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 韦一;柏沁园;唐莹;王玉龙 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G01R33/10 | 分类号： | G01R33/10;G01R33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 薄膜 声波 谐振器 磁场 传感器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其特征在：整体结构从下至上包括硅衬底、绝缘支撑层、下电极、压电层、上电极以及上电极两侧的绝缘体块；所述上电极采用具有磁致伸缩效应的材料，便于随磁场大小发生变化；所述硅衬底上刻蚀形成空气腔并在上方沉积绝缘支撑层(二氧化硅)作为声波反射层。
2.根据权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其特征在于：所述下电极使用金属钼或者铝材料，所述上电极使用具有磁致伸缩效应的金属镍材料，其厚度为0.1um-0.2um。
3.根据权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其特征在于：所述压电层使用具有压电效应的氧化锌材料，其厚度为1um-3um。
4.根据权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其特征在于：所述上电极两侧的绝缘体块使用二氧化硅材料，其厚度为0.1-0.5um。
5.根据权利要求1所述的基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器的制备方法，步骤如下：首先在硅衬底上表面刻蚀形成深度5um-20um的空气腔，并在硅衬底上表面热生长一层绝缘二氧化硅作为支撑层，接着采用直流磁控溅射方法沉积金属钼作为下电极，随后采用溶胶-凝胶工艺在下电极上生长氧化锌压电层，然后在压电层上采用电子蒸发束法沉积上磁致伸缩性材料金属镍作为上电极，最后在上电极两侧热生长形成绝缘二氧化硅材料块。
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