[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置的操作方法，包括：

响应于来自控制器的编程命令对存储块执行编程操作；并且

当所述编程操作失败时，对与所述存储块内的虚设单元联接的虚设字线施加编程电压，使得所述虚设单元具有高于正常通过电压的指示阈值电压，并且向所述控制器提供编程失败信号。

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中执行所述编程操作包括：

将所选择的位线预充电到编程允许电压，并且将未选择的位线预充电到编程禁止电压；

对未选择的字线施加通过电压；

通过对所选择的字线施加所述编程电压来增加所选择的存储器单元的阈值电压；

执行验证操作以验证所述所选择的存储器单元；并且

当作为所述验证操作的结果，检测到失败标记数据时，向所述控制器提供所述编程失败信号。

3.根据权利要求2所述的操作方法，其中当没有电流流过与所选择的存储器单元联接的位线时，检测到所述失败标记数据。

4.根据权利要求2所述的操作方法，其中执行所述验证操作包括：

对所述所选择的字线施加验证电压；

对所述未选择的字线施加所述通过电压；并且

对所述虚设字线施加所述正常通过电压。

5.根据权利要求4所述的操作方法，进一步包括：

响应于来自所述控制器的读取命令，对所述存储块执行正常读取操作；

当作为所述正常读取操作的结果，读取到所述失败标记数据时，通过向所述虚设字线施加高于所述指示阈值电压的通过电压来重试读取操作；并且

向所述控制器提供作为重试结果而获取的数据。

6.一种存储器装置，包括：

存储块，包括存储器单元和虚设单元；

主字线，联接到所述存储器单元；

虚设字线，联接到所述虚设单元；

电压供应电路：

响应于来自控制器的编程命令对所述存储块执行编程操作，并且

当所述编程操作失败时，对所述虚设字线施加编程电压，使得所述虚设单元具有高于正常通过电压的指示阈值电压；以及

控制逻辑，当所述编程操作失败时，向所述控制器提供编程失败信号。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，

其中所述电压供应电路通过以下执行所述编程操作：

将所选择的位线预充电到编程允许电压，并且将未选择的位线预充电到编程禁止电压，

对未选择的字线施加通过电压，

通过对所选择的字线施加所述编程电压来增加所选择的存储器单元的阈值电压，并且

执行验证操作以验证所述所选择的存储器单元，

其中当作为所述验证操作的结果，检测到失败标记数据时，所述控制逻辑向所述控制器提供所述编程失败信号。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中当没有电流流过与所述所选择的存储器单元联接的位线时，检测到所述失败标记数据。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述电压供应电路通过以下执行所述验证操作：

对所述所选择的字线施加验证电压，

对所述未选择的字线施加所述通过电压，并且

对所述虚设字线施加所述正常通过电压。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，

其中所述电压供应电路进一步：

响应于来自所述控制器的读取命令，对所述存储块执行正常读取操作，并且

当作为所述正常读取操作的结果，读取到所述失败标记数据时，通过对所述虚设字线施加高于所述指示阈值电压的通过电压来重试读取操作，

进一步包括读取/写入电路，向所述控制器提供作为重试结果而获取的数据。