[发明专利]物理不可复制函数代码生成装置及其方法有效
申请号: | 202010975786.4 | 申请日: | 2020-09-16 |
公开(公告)号: | CN112507398B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 柳德铉;林小峰 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F21/73 | 分类号: | G06F21/73;H04L9/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 物理 不可 复制 函数 代码 生成 装置 及其 方法 | ||
1.一种物理不可复制函数代码生成装置,包括:
基准生成器,被配置以生成基准;
物理不可复制函数信息生成和存储阵列,包括多个第一存储单元,各所述第一存储单元包括物理不可复制函数信息提供元件及物理不可复制函数信息存储元件;
感测放大器,耦合到所述物理不可复制函数信息生成和存储阵列,且被配置以将从所述物理不可复制函数信息提供元件读取的第一电性值与所述基准进行比较,以便生成多个物理不可复制函数信息;
写入驱动器,被配置以根据所述多个物理不可复制函数信息对所述物理不可复制函数信息存储元件实行写回操作,
其中在所述写回操作后,所述感测放大器进一步被配置以读取所述物理不可复制函数信息存储元件的第二电性值,以便生成感测结果并根据所述感测结果输出物理不可复制函数代码,
其中所述物理不可复制函数信息提供元件包括易失性存储元件,且所述物理不可复制函数信息存储元件包括非易失性存储元件。
2.根据权利要求1所述的物理不可复制函数代码生成装置,进一步包括:
锁存电路,被配置以锁存所述多个物理不可复制函数信息,
其中所述写入驱动器根据所述锁存电路的输出实行所述写回操作。
3.根据权利要求2所述的物理不可复制函数代码生成装置,其中
当从所述物理不可复制函数信息提供元件读取的所述第一电性值大于所述基准时,所述锁存电路输出第一逻辑值;
当从所述物理不可复制函数信息提供元件读取的所述第一电性值不大于所述基准时,所述锁存电路输出第二逻辑值;
当所述锁存电路输出所述第一逻辑值时,所述写回操作对所述多个物理不可复制函数信息存储元件实行第一操作,且
当所述锁存电路输出所述第二逻辑值时,所述写回操作对所述多个物理不可复制函数信息存储元件中实行第二操作。
4.根据权利要求1所述的物理不可复制函数代码生成装置,其中在所述写入驱动器对所述物理不可复制函数信息存储元件实行所述写回操作之后,所述写入驱动器进一步被配置以将所述物理不可复制函数信息存储元件置位为非写入状态,以保护所述物理不可复制函数信息存储元件免于另一写入操作。
5.根据权利要求1所述的物理不可复制函数代码生成装置,进一步包括:
充电电路,耦合到所述物理不可复制函数信息生成和存储阵列以及所述基准生成器,被配置以对所述物理不可复制函数信息提供元件以及所述基准生成器实行充电操作,
其中所述充电电路在所述感测放大器感测所述多个第一存储单元的所述第一电性值之前实行所述充电操作。
6.根据权利要求5所述的物理不可复制函数代码生成装置,其中在所述充电电路对所述物理不可复制函数信息提供元件以及所述基准生成器实行所述充电操作之前,所述物理不可复制函数信息提供元件以及所述基准生成器被放电到基准电压电平。
7.根据权利要求1所述的物理不可复制函数代码生成装置,其中
所述物理不可复制函数信息提供元件包括电容器,所述物理不可复制函数信息存储元件包括忆阻器元件,所述电容器耦合在所述忆阻器元件与所述物理不可复制函数信息生成和存储阵列的板线之间,
所述多个第一存储单元中的每一者进一步包括:
第一晶体管,耦合在所述物理不可复制函数信息生成和存储阵列的位线与所述忆阻器元件之间,其中所述第一晶体管的控制端接收使能信号;以及
第二晶体管,耦合在所述忆阻器元件与所述物理不可复制函数信息生成和存储阵列的源极线之间,其中控制端耦合到所述物理不可复制函数信息生成和存储阵列的字线,且
所述基准生成器包括多个第二存储单元,各所述多个第二存储单元包括所述电容器,且所述基准是根据从所述多个第二存储单元读取的电容值来生成。
8.根据权利要求7所述的物理不可复制函数代码生成装置,其中
所述基准是通过对从所述基准生成器的所述多个第二存储单元感测的电容值求平均来获得。
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