[发明专利]一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 202010976273.5 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112152068A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;徐晟;李冲;周广正;王聪聪;黄瑞 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/06;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微波 载流子 直接 调制 垂直 发射 激光器 | ||
1.一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，自下而上层叠，层依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、下分布布拉格反射镜(3)、下相位匹配层(4)、亚集电极层(5)、集电极层(6)、基极及量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上相位匹配层(9)、氧化限制层(10)、上分布布拉格反射镜层(11)。
2.按照权利要求1所述的一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述衬底(1)选自InP衬底、是GaAs衬底、GaN衬底、SiC衬底或是Si衬底。
3.按照权利要求1所述的一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述基极及量子阱有源区层(7)中，有源区量子阱的个数为3-6个。
4.按照权利要求1所述的一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，由发射极层(8)注入的电子一部分在基极及量子阱有源区层(7)中辐射复合发光，另一部分被亚集电极层(5)快速收集，形成集电极电流。
5.按照权利要求1所述的一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述下相位匹配层(4)、亚集电极层(5)、集电极层(6)、基极及量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上相位匹配层(9)组成垂直腔面发射激光器的光学腔，整个腔的光学厚度为激光波长的整数倍。
6.按照权利要求1所述的一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述亚集电极层(5)的厚度为60-70nm，所述集电极层(6)的厚度为30-70nm，所述基极及量子阱有源区层(7)的厚度为60-120nm，所述发射极层(8)的厚度为40-120nm。
7.按照权利要求1所述的一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述氧化限制层(10)为高铝组分材料，利用湿法氧化工艺可以形成电流注入通道，厚度为20-40nm。
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