[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010977265.2 申请日: 2020-09-16
公开(公告)号: CN112530884A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 胁坂伸治 申请(专利权)人: 青井电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/538;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/16
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 金成哲;王莉莉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【说明书】:

本发明实现安装有在背面侧具有电极的半导体元件的半导体装置的小型化、薄型化。半导体装置具备:第一半导体元件,其在主面侧具有第一电极,并在背面侧具有第二电极;基材,其设有与第一电极连接的连接导体;密封树脂,其设置在基材上,将第一半导体元件进行密封;以及第一过孔,其设于密封树脂,并与第一半导体元件的第二电极电连接。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体封装件利用树脂来密封半导体元件,该半导体封装件作为适于薄型化、小型化的半导体装置,例如广泛应用于电力转换装置等。作为半导体封装件的构造,已知有以下构造:将半导体元件管芯焊接于基板上,利用接合引线将半导体元件的各电极与设于基板的连接导体进行连接。但是,在该结构中,需要可承受引线接合时的加热的玻璃环氧树脂等昂贵的基板,因而无法实现低成本化。并且,在该构造中,由于与半导体元件的电极接合的接合引线在半导体元件上突出,所以半导体装置的厚度变厚。

因此,还研究了以下半导体装置:在半导体元件的与主面侧相反一侧的背面设有电极,将主面侧的电极与基板进行连接,并使用引线板之类的金属板将基板与背面侧的电极进行连接。在该结构中,金属板与半导体元件的背面侧的电极之间的接合以及金属板与基板的连接焊盘之间的接合使用焊锡等金属接合材料来进行(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2002-76245号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1所记载的半导体装置中,半导体元件的背面侧的电极与金属板是利用焊锡等金属接合材料来接合的结构,接合部的厚度为金属板的厚度与金属接合材料的厚度相加,因而无法实现充分的薄型化。并且,金属板不能像连接布线那样高精细,因而小型化也存在极限。

用于解决课题的方案

本发明的第一方式的半导体装置具备:第一半导体元件,其在主面侧具有第一电极,并在背面侧具有第二电极;基材,其设有与上述第一电极连接的连接导体;密封树脂,其设置在上述基材上,将上述第一半导体元件进行密封;以及第一过孔,其设于上述密封树脂,并与上述第一半导体元件的上述第二电极电连接。

本发明的第二方式的半导体装置具备:基材;第一半导体元件,其设置在上述基材上,在与上述基材面对面的主面侧具有第一电极及第三电极,并在背面侧具有第二电极;第二半导体元件,其设置在上述基材上,在与上述基材面对面的主面侧具有第一电极及第二电极;第一连接导体,其设置在上述基材上,将上述第一半导体元件的上述第一电极与上述第二半导体元件的上述第一电极进行连接;第二连接导体,其设置在上述基材上,并与上述第二半导体元件的上述第二电极连接;密封树脂,其设置在上述基材上,将上述第一半导体元件及上述第二半导体元件进行密封;第一过孔,其设于上述密封树脂,并与上述第一半导体元件的上述第二电极电连接;以及第二过孔,其设于上述密封树脂,并与上述第二连接导体连接。

本发明的第三方式的半导体装置的制造方法包含:准备在主面侧具有第一电极并在背面侧具有第二电极的第一半导体元件的工序;将上述第一半导体元件的上述第一电极与设于基材的第一连接导体进行连接的工序;利用密封树脂将设置在上述基材上的上述第一半导体元件进行密封的工序;以及在上述密封树脂设置与上述第一半导体元件的上述第二电极电连接的第一过孔的工序。

根据本发明,能够实现安装有在背面侧具有电极的半导体元件的半导体装置的小型化、薄型化。

附图说明

图1示出本发明的第一实施方式的半导体装置,并且是从半导体装置的上方透视密封树脂而得到的布局图。

图2是图1所示的半导体装置的II-II线剖视图。

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