[发明专利]一种复合电极的体声波谐振器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010977498.2 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112134540A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;刘炎;蔡耀;邹杨;高超 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H3/04;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/17 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 吴楚 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 电极 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括带有空腔的衬底以及位于所述衬底之上的复合下电极、压电层、上电极；
所述压电层位于复合下电极和上电极之间；
所述复合下电极包括依次层叠的第一下电极、种子层、温度补偿层和第二下电极；
所述第一下电极和第二下电极通过刻蚀通孔后电连接；
所述通孔贯穿所述温度补偿层和种子层。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料选自AlN、ZnO、ScAlN。
3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述上电极和下电极材料选自Mo、Ru、Pt。
4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述温度补偿层为正温度系数的材料，厚度为50-1000nm之间。
5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述种子层的厚度为20-150nm之间。
6.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)提供一带有空腔的Si衬底；
(2)采用等离子增强型化学气相沉积法在所述衬底上生长2～4um的SiO2；
(3)化学机械抛光SiO2至Si衬底表面停止，形成牺牲层；
(4)依次在所述Si衬底表面生长第一下电极，种子层，温度补偿层；
(5)刻蚀通孔，通孔贯穿所述温度补偿层和种子层；
(6)在所述温度补偿层表面生长第二下电极，使第一下电极和第二下电极通过通孔电连接；
(7)在所述第二下电极表面生长压电薄膜；
(8)在所述压电薄膜上刻蚀通孔；
(9)在所述压电薄膜上沉底金属电极材料并刻蚀图形化，分别形成上电极和引出的下电极；
(10)刻蚀释放孔，释放孔贯穿压电层、第二下电极、温度补偿层、种子层和第一下电极；
(11)释放牺牲层，形成空腔。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述压电层的材料选自AlN、ZnO、ScAlN。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述上电极和下电极材料选自Mo、Ru、Pt。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述温度补偿层为正温度系数的材料，厚度为50-1000nm之间。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述种子层的厚度为20-150nm之间。
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