[发明专利]一种基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片，其特征在于：

该基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片由上下两层芯片组成，其中：上层为直通道液路层，下层为三角柱混流液路层；

所述直通道液路层设置有下述结构：

——进样口：位于整个直通道液路层最上游；

——直通道区：布置在进样口和出口之间用于沟通两者；

——样品出口：位于整个直通道液路层最下游；

所述三角柱混流液路层位于直通道液路层正下方，三角柱混流液路和直通道区液路重合。

2.按照权利要求1所述基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片，其特征在于：所述基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片还满足下述要求之一或其组合：

其一，所述直通道液路层和三角柱混流液路层的材料均为聚二甲基硅氧烷聚合物，直通道液路层和三角柱混流液路层厚度相同，均为1-5mm；

其二，所述直通道液路层和三角柱混流液路层通道高度均为100-1000μm；

其三，所述直通道液路层和三角柱混流液路层通道宽度相同，均为0.1-1cm；

其四，所述直通道液路层和三角柱混流液路层通道长度相同，均为1-5cm；

其五，所述三角柱为“Y”形三角柱，三角柱尺寸为10-200μm。

3.按照权利要求1所述基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片，其特征在于：所述基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片还满足下述要求：

所述直通道液路层是在制作成功的直通道液路层模板上浇上一层高于模板1-5mm的聚二甲基硅氧烷，固化后揭下得到；所述三角柱混流液路层是在制作成功的三角柱混流液路模板上浇上一层高于模板1-5mm的聚二甲基硅氧烷，固化后揭下得到；所述进样口和样品出口由直径0.5-1mm的打孔器打孔所得；所述直通道液路层有结构一侧和三角柱混流液路层有结构的一侧通过氧等离子体封接到一起。

4.一种如权利要求1-3所述基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片的制备方法，其特征在于：所述基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片的制备方法相关步骤依次要求如下：

(1)采用光刻和腐蚀方法制备出通道部分凸起的光刻胶模板；

(2)用乳酸乙酯对光刻胶模板进行显影，165℃-180℃坚膜1-3h；

(3)将芯片光刻胶模板用硅烷化试剂处理5-10min，使PDMS容易剥离模板底面；

(4)将聚二甲基硅氧烷与其对应引发剂以体积比5-15：1混合均匀，分别浇注于芯片上、下层结构光刻胶模板，80℃烘箱固化20-40min，将聚二甲基硅氧烷与芯片光刻胶模板剥离，得到带有结构的聚二甲基硅氧烷芯片；

(5)使用打孔器在上层芯片进样口及出口位置打孔；

(6)将芯片上层带有结构的一侧与芯片下层带有结构的一侧进行氧等离子体处理1-3min，70-90℃热烘30-60min，进行不可逆封接，得到封接好的聚二甲基硅氧烷芯片。

5.按照权利要求4所述基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片的制备方法，其特征在于：所述基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片的制备方法还满足下述要求：先通过进样口在通道中注入0.1％-2％的壳聚糖水溶液，4摄氏度放置4-24h后，用去离子水冲洗去通道中多余的壳聚糖水溶液，得到基于壳聚糖正负电荷吸附原理的外泌体富集芯片。