[发明专利]一种基于醇类溶剂剥离聚合物支撑材料的石墨烯转移方法

权利要求书

1.一种石墨烯的转移方法，其包括以下步骤：

在金属基底的石墨烯表面上旋涂PVP-co-PMMA高分子溶液，然后加热固化形成一层PVP-co-PMMA薄膜；接着在PVP-co-PMMA薄膜的表面上旋涂PMMA高分子溶液，然后加热固化形成一层PMMA薄膜，得到PMMA/PVP-co-PMMA/石墨烯/金属基底；

去除PMMA/PVP-co-PMMA/石墨烯/金属基底中的金属基底，得到PMMA/PVP-co-PMMA/石墨烯；

将PMMA/PVP-co-PMMA/石墨烯水洗后转移到目标基底上，待水分蒸发后，实现石墨烯与目标基底的紧密粘连，得到PMMA/PVP-co-PMMA/石墨烯/目标基底；

将PMMA/PVP-co-PMMA/石墨烯/目标基底置于醇类溶剂中浸泡溶解PVP-co-PMMA薄膜，进而PMMA薄膜脱落，完成石墨烯的转移；

所述PVP-co-PMMA高分子溶液的制备方法包括：

将PVP-co-PMMA粉末溶于环戊酮中，过滤得到的滤液即为PVP-co-PMMA高分子溶液；

所述PMMA高分子溶液的制备方法包括：

将PMMA粉末溶于二溴甲烷中，过滤得到的滤液即为PMMA高分子溶液。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，制备所述PVP-co-PMMA高分子溶液时，所述PVP-co-PMMA粉末与所述环戊酮的重量为1:4。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，制备所述PMMA高分子溶液时，所述PMMA粉末与所述二溴甲烷的重量为1.5:98.5。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属基底的石墨烯制备方法包括：

采用化学气相沉积法，在金属基底的表面上生长石墨烯。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属基底的金属选自铜、镍和铬中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述石墨烯为单层石墨烯或多层石墨烯。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在金属基底的石墨烯表面上旋涂PVP-co-PMMA高分子溶液的旋涂转速为3000rpm/s，旋涂后进行加热的温度为60～100℃，时间为30～90min。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在PVP-co-PMMA薄膜的表面上旋涂PMMA高分子溶液的旋涂转速为2000rpm/s，旋涂后进行加热的温度为60～100℃，时间为15～45min。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，去除PMMA/PVP-co-PMMA/石墨烯/金属基底中的金属基底的方法包括：

PMMA/PVP-co-PMMA/石墨烯/金属基底浸泡于金属基底的腐蚀液中腐蚀去除金属基底。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标基底包括刚性基底和/或不溶于醇类的聚合物柔性衬底。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述刚性基底包括硅片基底、二氧化硅基底和玻璃基底中的一种或多种。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述聚合物柔性衬底包括有机电光聚合物薄膜。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，将PMMA/PVP-co-PMMA/石墨烯/目标基底置于醇类溶剂中的浸泡时间为10～30min。

14.根据权利要求1或7所述的方法，其中，所述醇类溶剂包括甲醇、乙醇、异丙醇和正丁醇中的一种或多种。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述PVP-co-PMMA薄膜的厚度为2～3μm。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述PMMA薄膜的厚度为500～700nm。