[发明专利]一种碳化硅MOSFET驱动电源

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET驱动电源，包括第一隔离变压单元（11）和第一逻辑单元（12），其特征在于，还包括第二逻辑单元（22）和多路第二隔离变压单元（21），各所述第二隔离变压单元（21）的输入端均与所述第一隔离变压单元（11）的输出端相连，各所述第二隔离变压单元（21）的输出端用于分别与驱动电路的各桥臂的开关单元连接；

所述第二隔离变压单元（21）包括第二隔离变压器，所述第二隔离变压器包括第一同相输入端、第二同相输入端和反相输入端，所述第一同相输入端通过第一开关与地相连；所述第二同相输入端与所述第一隔离变压单元（11）的输出端相连，所述第二同相输入端与通过第一电阻单元与地相连；所述反相输入端通过第二开关与地相连.所述第一开关和第二开关的触发端与所述第二逻辑单元（22）相连；

所述第一隔离变压单元（11）包括第一隔离变压器，所述第一隔离变压器的同相输入端通过第三开关与地相连；所述第一隔离变压器的反相输入端与蓄电池相连；还包括欠压保护单元（13），所述欠压保护单元（13）的输入端与所述第一隔离变压器的反相输入端相连，用于检测所述蓄电池的输出电压，所述欠压保护单元（13）的输出端与所述第一逻辑单元（12）相连，所述第一逻辑单元（12）根据所述欠压保护单元（13）的输出电压控制所述第三开关的触发脉冲。

2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET驱动电源，其特征在于，还包括第二电源监测单元（23），所述第二电源监测单元（23）的输入端与所述第二隔离变压单元（21）的输出端相连，输出端与所述第二逻辑单元（22）相连，用于检测所述第二隔离变压单元（21）的输出电压，并发送至所述第二逻辑单元（22），所述第二逻辑单元（22）根据所述第二隔离变压单元（21）的输出电压控制所述第一开关和第二开关的触发脉冲。

3.根据权利要求2所述的碳化硅MOSFET驱动电源，其特征在于，所述第一开关和第二开关均通过第二接地电阻与地相连；还包括第二短路保护单元（24），所述第二短路保护单元（24）的输入端与所述第二接地电阻相连，用于检测所述第二接地电阻上的电压或电流，所述第二短路保护单元（24）的输出端与所述第二逻辑单元（22）相连，所述第二逻辑单元（22）根据所述第二短路保护单元（24）的输出电压或电流控制所述第一开关和第二开关的触发脉冲。

4.根据权利要求3所述的碳化硅MOSFET驱动电源，其特征在于，所述第一电阻单元包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端与第二同相输入端相连，所述第一电阻的另一端与第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端与地相连；还包括过压保护单元（25），所述过压保护单元（25）的输入端与所述第二电阻的一端相连，用于检测所述第二电阻上的电压，所述过压保护单元（25）的输出端与所述第二逻辑单元（22）相连，所述第二逻辑单元（22）根据所述过压保护单元（25）的输出电压控制所述第一开关和第二开关的触发脉冲。

5.根据权利要求4所述的碳化硅MOSFET驱动电源，其特征在于，所述过压保护单元（25）包括比较器和三极管，所述比较器的正极与所述第二电阻的一端相连，所述比较器的输出端与所述三极管的基极相连，所述三极管的集电极与所述第二逻辑单元（22）相连。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的碳化硅MOSFET驱动电源，其特征在于，所述第一开关和第二开关均为MOSFET。

7. 根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET驱动电源，其特征在于，所述第一隔离变压器的同名输出端通过第二电阻单元接地，所述第二电阻单元包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的一端与第一隔离变压器的同名输出端相连，另一端与第四电阻的一端相连，所述第四电阻的另一端接地; 还包括第一电源监测单元（14），所述第一电源监测单元（14）的输入端与所述第四电阻的一端相连，输出端与所述第一逻辑单元（12）相连，用于检测所述第四电阻的输出电压，并发送至所述第一逻辑单元（12），所述第一逻辑单元（12）根据所述第一电源监测单元（14）的输出电压控制所述第三开关的触发脉冲。

8.根据权利要求7所述的碳化硅MOSFET驱动电源，其特征在于，所述第三开关通过第一接地电阻与地相连；还包括第一短路保护单元（15），所述第一短路保护单元（15）的输入端与第一接地电阻相连，用于检测所述第一接地电阻上的电压或电流，所述第一短路保护单元（15）的输出端与所述第一逻辑单元（12）相连，所述第一逻辑单元（12）根据所述第一短路保护单元（15）的输出电压或电流控制所述第三开关的触发脉冲。