[发明专利]一种超宽温区负电卡效应Pb(Zrx 有效
| 申请号： | 202010979494.8 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112062553B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 彭彪林;汪婷婷 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | C04B35/472 | 分类号： | C04B35/472;C04B35/491;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 卢波 |
| 地址： | 530004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超宽温区 负电 效应 pb zr base sub | ||
1.一种超宽温区负电卡效应Pb(ZrXTi1-X)O3基薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
1)将Pb(ZrXTi1-X)O3前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜，所述Pb(ZrXTi1-X)O3通式中x＝0.1～0.5；
2)将步骤1)所得产品干燥、热解，退火制得单层Pb(ZrXTi1-X)O3薄膜，所述干燥温度为350-400℃，干燥时间为5-10min；
3)重复步骤1)和步骤2)，制得多层Pb(ZrXTi1-X)O3薄膜；
步骤1)所述Pb(ZrXTi1-X)O3前驱体溶液由如下方法制得：将原料Pb(CH3COO)3于110℃溶解在冰醋酸和去离子水的混合液体中，然后将Zr(OC3H7)4和Ti(OCH(CH3)2)4于室温溶解在冰醋酸和CH3COCH2COCH3的混合液体中，将所得的两种混合液于60-100℃搅拌30min再次混合，并放置24-30h，得到浓度为0.3M的Pb(ZrXTi1-X)O3前驱体溶液；
步骤1)所述衬底为p-type GaN；
步骤2)所述热解温度为550-600℃，热解时间为5-10min；
步骤2)所述退火温度为700-800℃，退火时间为3-5min，退火环境为空气氛围；
步骤3)制得8层Pb(ZrXTi1-X)O3薄膜。
2.根据权利要求1所述的超宽温区负电卡效应Pb(ZrXTi1-X)O3基薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)所述旋涂转速为4000-6000rpm，旋涂时间为30-40s。
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