[发明专利]一种宽带放大电路在审
申请号: | 202010980917.8 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN112187190A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 陆雨茜;张晶 | 申请(专利权)人: | 北京无线电测量研究所 |
主分类号: | H03F1/42 | 分类号: | H03F1/42;H03F3/45 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 100851*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽带 放大 电路 | ||
1.一种宽带放大电路,其特征在于,包括:工作电压输入端(VDD)、射频信号输入端(RFin)、信号放大单元、直流偏置单元和射频信号输出端(RFout),其中,
所述工作电压输入端为所述直流偏置单元提供电源电压;
所述直流偏置单元用于向所述信号放大单元输出偏置电压;
所述射频信号输入端用于将射频信号输入到信号放大单元;
所述信号放大单元用于对输入的射频信号进行放大,输出放大后的射频信号;
所述射频信号输出端用于将所述放大后的射频信号输出。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述信号放大单元包括:第一电容器(C1)、第二电容器(C2)、第三电容器(C3)、第四电容器(C4)、第五电容器(C5)、第六电容器(C6)、第七电容器(C7)、第八电容器(C8)、第一电感器(L1)、第二电感器(L2)、第三电感器(L3)、第四电感器(L4)、第五电感器(L5)、第一增强型场效应晶体管(M1)、第二增强型场效应晶体管(M2)、第一电阻器(R1)和第八电阻器(R8);
其中,
射频信号输入端连接第一电容器的第一端,第一电容器的第二端连接第二电容器的第一端和第一电感器的第一端;
第二电容器的第二端接地,第一电感器的第二端连接第一电阻器的第一端和第一增强型场效应晶体管的栅极,第一电阻器的第二端连接第四电容器的第一端,第四电容器的第二端连接第二增强型场效应晶体管的漏极和第二电感器的第一端,第一增强型场效应晶体管的漏极连接第二增强型场效应晶体管的源极和第三电容器的第一端;
第三电容器的第二端接地,第一增强型场效应晶体管的源极接地,第二增强型场效应晶体管的栅极连接第五电容器的第一端和直流偏置单元,第五电容器的第二端接地,第二电感器的第二端连接第三电感器的第一端和第六电容器的第一端;
第三电感器的第二端连接工作电压输入端的第一端和第八电容器的第一端,第八电容器的第二端连接第八电阻器的第一端,第八电阻器的第二端接地;
第六电容器的第二端连接第四电感器的第一端,第四电感器的第二端连接第五电感器的第一端和第七电容器的第一端,第七电容器的第二端接地,第五电感器的第二端连接射频信号输出端。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述直流偏置单元包括:第二电阻器(R2)、第三电阻器(R3)、第四电阻器(R4)、第五电阻器(R5)、第六电阻器(R6)、第七电阻器(R7)、第三增强型场效应晶体管(M3)和第四增强型场效应晶体管(M4);
其中,
工作电压输入端的第二端连接第六电阻器的第一端和第三电阻器的第一端,第六电阻器的第二端连接第七电阻器的第一端和第五电阻器的第一端;
第七电阻器的第二端连接第四增强型场效应晶体管的栅极和漏极,第四增强型场效应晶体管的栅极和漏极短接、源极接地;
第五电阻器的第二端连接信号放大单元中第五电容器的第一端和第二增强型场效应晶体管的栅极;
第三电阻器的第二端连接第四电阻器的第一端和第二电阻器的第一端,第四电阻器的第二端连接第三增强型场效应晶体管的栅极和漏极,第三增强型场效应晶体管的栅极和漏极短接、源极接地;
第二电阻器的第二端连接信号放大单元中第一电阻器的第二端和第四电容器的第一端。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述信号放大单元中的第一增强型场效应晶体管和直流偏置单元中的第三增强型场效应晶体管共同构成了电流输入-电压输出型负反馈。
5.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,信号放大单元中的第二增强型场效应晶体管和直流偏置单元中的第四增强型场效应晶体管共同构成了电流输入-电压输出型负反馈。
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