[发明专利]像素驱动电路及显示面板在审
申请号: | 202010980993.9 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN112086070A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 曹海明;田超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233;G09G3/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 显示 面板 | ||
本申请公开了一种像素驱动电路及显示面板,像素驱动电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、存储电容以及分压电容;通过在发光之前对驱动晶体管的栅极、漏极以及源极进行电位预置,在发光时流经驱动晶体管的发光电流可以不受驱动晶体管的阈值电压的影响,进而消除了其阈值电压漂移致使发光不均的现象。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及驱动电路技术领域,具体涉及一种像素驱动电路和显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,显示品质的需求也越来越高,迫切需要既能够满足高频动态画面显示(画质更流畅)的同时,还能够满足普通显示的低功耗需求,那么动态帧频技术应运而生,其可以同时满足显示面板对于超低频(1至5Hz)和超高频(120至360Hz)的需求。随之而来的是对显示区的要求也有所提高:充电能力强:高频状态每行充电时间极短;画面保持(Holding)能力强:低频状态每帧Holding时间延长。
低温多晶氧化物(Low teperature polycrystalline Oxide,LTPO),由于其结合了低温多晶硅(Low temperature poly-silicon,LTPS)及氧化铟镓锌(Indium GalliumZinc Oxide,IGZO)两种技术的优点。采用这种低温多晶氧化物型薄膜晶体管的像素驱动电路具有强驱动能力和低功耗的特点,目前已成为显示领域炙手可热的技术。
但是,传统像素驱动电路中的驱动晶体管受自身工艺、电路设计等因素的影响,驱动晶体管的阈值电压经常会发生漂移,致使显示区发光不均匀,这会影响LTPO型薄膜晶体管在动态帧频技术领域的应用效果。
发明内容
本申请提供一种像素驱动电路及显示面板,解决了驱动晶体管的阈值电压漂移,导致的发光不均问题。
第一方面,本申请提供一种像素驱动电路,其包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、存储电容以及分压电容;驱动晶体管串接于第一电源信号与第二电源信号构成的发光回路,用于控制流经发光回路的电流;第一晶体管与驱动晶体管的漏极连接,用于根据第一扫描信号以初始信号补偿驱动晶体管的漏极电位;第二晶体管与驱动晶体管的栅极连接,用于根据第二扫描信号写入数据信号和接入参考信号以复位驱动晶体管的栅极电位和其源极电位;存储电容串接于驱动晶体管的栅极与其源极之间,用于存储驱动晶体管的栅极电位;以及分压电容串接于驱动晶体管的源极与第一电源信号之间,用于调节驱动晶体管的栅极电位。
基于第一方面,在第一方面的第一种实施方式中,驱动晶体管的沟道类型与第一晶体管的沟道类型不同;且驱动晶体管的沟道材料与第一晶体管的沟道材料和第二晶体管的沟道材料不同。
基于第一方面的第一种实施方式,在第一方面的第二种实施方式中,第一晶体管的沟道类型和第二晶体管的沟道类型不同;且第一晶体管的沟道材料和第二晶体管的沟道材料相同。
基于第一方面的第二种实施方式,在第一方面的第三种实施方式中,像素驱动电路还包括第一发光控制晶体管;第一发光控制晶体管的源极/漏极中的一个与第一电源信号连接;第一发光控制晶体管的源极/漏极中的另一个与驱动晶体管的源极连接;第一发光控制晶体管的栅极与第一发光控制信号连接。
基于第一方面的第三种实施方式,在第一方面的第四种实施方式中,像素驱动电路还包括第二发光控制晶体管;第二发光控制晶体管的源极/漏极中的一个与驱动晶体管的漏极连接;第二发光控制晶体管的栅极与第二发光控制信号连接。
基于第一方面的第四种实施方式,在第一方面的第五种实施方式中,像素驱动电路还包括至少一个发光器件;第二发光控制晶体管的源极/漏极中的另一个与发光器件的阳极连接;发光器件的阴极与第二电源信号连接。
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