[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

分别在第一半导体区和第二半导体区上方形成第一栅极电介质和第二栅极电介质；

沉积含镧层，所述含镧层包括分别与所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质重叠的第一部分和第二部分；

沉积硬掩模，所述硬掩模包括分别与所述含镧层的第一部分和第二部分重叠的第一部分和第二部分，其中，所述硬掩模不含钛和钽；

形成图案化的蚀刻掩模以覆盖所述硬掩模的第一部分，其中，所述硬掩模的第二部分暴露；

去除所述硬掩模的第二部分和所述含镧层的第二部分；以及

执行退火以将所述含镧层的第一部分中的镧驱入所述第一栅极电介质中。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述退火之前，去除所述图案化的蚀刻掩模；以及

去除所述硬掩模的第一部分。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述硬掩模是单层硬掩模。

4.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：在形成所述图案化的蚀刻掩模之前，对所述硬掩模执行等离子体处理。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述硬掩模是双层硬掩模，所述双层硬掩模包括：

第一子层，包括氮化铝、氧化铝或氧化锆；以及

第二子层，位于所述第一子层上方，其中，所述第二子层包括钨。

6.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：在所述硬掩模上方形成与所述硬掩模接触的含非金属的粘附层。

7.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：

在所述退火之后，去除所述含镧层的第一部分。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

形成包括具有第一部分和第二部分的层的氮化钛，所述第一部分和所述第二部分分别位于所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质上方并且接触所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

在第一栅极电介质上方沉积包括第一部分的含掺杂金属的层；

沉积硬掩模，所述硬掩模包括位于所述含掺杂金属的层的第一部分上方并且与所述含掺杂金属的层的第一部分接触的第一部分，其中，整个所述硬掩模由均质材料形成；

形成蚀刻掩模，所述蚀刻掩模包括位于所述硬掩模的第一部分上方并且与所述硬掩模的第一部分接触的第一部分；

执行退火工艺以将所述含掺杂金属的层中的掺杂剂驱入所述第一栅极电介质中；以及

去除所述含掺杂金属的层。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成沟槽；

形成延伸到所述沟槽中的高k介电层；

在所述高k介电层上方沉积氧化镧层；

在所述氧化镧层上方沉积硬掩模，其中，所述硬掩模为单层硬掩模；

在所述硬掩模上方形成与所述硬掩模接触的图案化的光刻胶；

图案化所述硬掩模和所述氧化镧层；

去除所述硬掩模；

去除所述氧化镧层；以及

在所述高k介电层上方形成与所述高k介电层接触的栅电极。