[发明专利]一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)将LaNiO₃前驱体溶液旋涂于基片上制得第一湿膜；

2)将步骤1)所得的第一湿膜干燥、热解，晶化制得单层LaNiO₃薄膜；

3)重复步骤1)和步骤2)，制得复合基底；

4)将BCZT或掺La的BCZT前驱体溶液旋涂于步骤3)制得复合基底上，制得第二湿膜；

5)将步骤4)所得的第二湿膜干燥、热解，晶化制得单层BCZT薄膜或掺La的BCZT薄膜；

6)重复步骤4)和步骤5)制得多层BCZT薄膜或掺La的BCZT薄膜。

2.根据权利要求1所述的BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤1)所述的LaNiO₃前驱体溶液浓度为0.2-0.3M，步骤1)所述旋涂转速为4000-6000rpm，旋涂时间为30-60s。

3.根据权利要求1所述的BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤2)所述的干燥温度为150-250℃，干燥时间为3-5min；所述的热解温度为450-600℃，热解时间为3-5min，700-800℃于空气氛围中晶化5-10min。

4.根据权利要求1所述的BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤3)制得6层LaNiO₃/Pt(111)复合基底。

5.根据权利要求1所述的BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤4)所述BCZT通式为(Ba_yCa_(1-y)Zr_zTi_(1-z))O₃，所述掺La的BCZT通式为(Ba_yCa_(1-y)La_0.015Zr_zTi_(1-z))O₃，其中0y1，0z1。

6.根据权利要求5所述的BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述BCZT前驱体溶液或掺La的BCZT前驱体溶液浓度均为0.2-0.3M。

7.根据权利要求5所述的BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述掺La的BCZT前驱体溶液的制备方法包括在化学通式计量的基础上分别称取过量(t+x)mol的醋酸钡和醋酸钙的步骤，其中0t1，x＝0.0075、0.075或0.15。

8.根据权利要求1-7任一所述的BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤4)所述的所述旋涂转速为4000-6000rpm，旋涂时间为30-60s。

9.根据权利要求1-7任一所述的BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤4)所述的干燥温度为200-350℃，干燥时间为5-10min；所述的热解温度为400-550℃，热解时间为5-10min，700-800℃于空气氛围中晶化3-5min。

10.根据权利要求1-7任一所述的BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤6)制得8层BCZT薄膜或掺La的BCZT薄膜。