[发明专利]一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)将PMN-PSN前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜；

2)将步骤1)所得的湿膜按照如下任一步骤进行处理制备一层PMN-PSN薄膜，

2-1)、将湿膜干燥、热解、晶化制得一层PMN-PSN薄膜，

2-2)、将湿膜干燥、热解制得一层PMN-PSN薄膜；

3)按照如下任一步骤进行处理制备多层PMN-PSN薄膜，

3-1)、重复步骤1)和步骤2-1)制得多层PMN-PSN薄膜，

3-2)、重复步骤1)和步骤2-2)制得未完全晶化的PMN-PSN薄膜、晶化制得完全晶化的多层PMN-PSN薄膜；

4)将步骤3)所得的产品进行退火，即得所需薄膜材料，所述退火温度为600-700℃，退火时间为3-5h、8-10h、13-15h、18-20h和23-25h中的任一一个时间。

2.根据权利要求1所述的PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述PMN-PSN通式为nPb(Mg_xNb_(1-x))O₃-(1-n)Pb(Sc_yNb_(1-y))O₃，其中0n1、0x 1、0y 1。

3.根据权利要求1所述的PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述PMN-PSN前驱体溶液浓度为0.2-0.3M。

4.根据权利要求1所述的PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤1)所述旋涂包括第一次旋涂和第二次旋涂，第一次旋涂转速为500-1000rpm，旋涂时间为10-30s；第二次旋涂转速为4000-6000rpm，旋涂时间为30-60s。

5.根据权利要求1所述的PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤2-1)所述干燥温度为300-400℃，干燥时间为3-5min，热解温度为500-600℃，热解时间为3-5min，晶化温度为700-800℃，晶化时间为3-5min，晶化环境为空气氛围。

6.根据权利要求1所述的PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤2-2)所述干燥温度为300-400℃，干燥时间为3-5min，热解温度为500-600℃，热解时间为3-5min。

7.根据权利要求1所述的PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤3-1)和步骤3-2)重复次数为12次。

8.根据权利要求1所述的PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤3-2)所述晶化温度为700-800℃，晶化时间为30-60min，晶化环境为空气氛围。