[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010981821.3 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112071804A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王锐;刘昭;邵克坚;张大明;肖为引 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨丽爽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有停止层以及介质层，所述介质层中形成有沟槽；
在所述沟槽中形成第一填充层，在所述第一填充层中形成通孔，所述通孔贯穿所述第一填充层和所述介质层至所述停止层上；
去除所述第一填充层，刻蚀所述停止层，形成贯穿至所述衬底的沟槽-通孔结构，在所述沟槽-通孔结构中形成第二填充层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层中形成有沟槽的方法包括：
在所述介质层上形成第一光阻层；
图案化所述第一光阻层，以在所述第一光阻层中形成沟槽图案；
以图案化的第一光阻层为掩膜，刻蚀所述介质层，以在介质层中形成沟槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一填充层中形成通孔，所述通孔贯穿所述第一填充层和所述介质层至所述停止层上，包括：
在所述第一填充层上依次形成硬掩模层和第二光阻层；
图案化所述第二光阻层，以在所述第二光阻层中形成通孔图案；
以图案化的第二光阻层为掩膜，刻蚀所述硬掩模层，以在硬掩模层中形成通孔；
以所述硬掩模层为遮蔽，刻蚀所述第一填充层和所述介质层，以形成贯穿所述第一填充层和所述介质层至所述停止层上的通孔。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层的材料为氮氧化硅。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述停止层的材料为氮化硅。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一填充层的材料为有机碳。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一填充层包括：
对所述第一填充层进行灰化处理，以去除所述填充层。
8.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第二填充层为金属材料。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于形成3D-NAND存储器的金属互连层。
10.一种半导体器件，其特征在于，利用如权利要求1-9任意一项所述的方法制备，包括：
衬底，所述衬底上的停止层以及介质层，所述介质层中的沟槽；
所述沟槽底部形成有贯穿所述介质层以及所述停止层至所述衬底上的通孔；
所述沟槽和所述通孔中形成有填充层。
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