[发明专利]显示装置的制造装置以及显示装置的制造方法在审
申请号: | 202010984710.8 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN113410417A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 奇永培;柳志锡;成沄澈;李秀奂;李镐准;河在秀 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;B23K26/36;B23K26/70 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孙昌浩 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 装置 以及 方法 | ||
1.一种显示装置的制造装置,包括:
移动部,附着有显示基板,并且移动所述显示基板;
测量部,观察借由所述移动部而移动的所述显示基板的表面,并且获知配备于所述显示基板的表面的开口的位置;以及
加工部,接收借由所述测量部测量的数据而朝所述显示基板的表面照射激光。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造装置,其中,
所述加工部包括:
光源;以及
扫描仪,调节从所述光源发出的激光的方向,
其中,借由所述测量部测量的数据传送至所述扫描仪。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造装置,其中,
所述光源为多个,并且沿第一方向分别布置为两个列,并沿与所述第一方向交叉的第二方向彼此交错地布置。
4.如权利要求1所述的显示装置的制造装置,其中,
所述开口以分别使包括于所述显示基板的多个像素电极以及辅助电极暴露的方式形成于像素定义膜。
5.如权利要求4所述的显示装置的制造装置,还包括:
中间层,布置于所述像素电极以及所述辅助电极上,
其中,布置于所述辅助电极上的所述中间层的一部分被激光去除。
6.一种显示装置的制造方法,包括如下步骤:
沿第一方向移动显示基板;
观察所述显示基板的表面;以及
比较预设的位置和观察所述显示基板的表面的数据,并基于所述数据改变激光照射的所述显示基板的位置。
7.如权利要求6所述的显示装置的制造方法,其中,
观察所述显示基板的表面的步骤以及基于所述数据改变激光照射的所述显示基板的位置的步骤在移动所述显示基板的期间依次进行。
8.如权利要求6所述的显示装置的制造方法,其中,
观察所述显示基板的表面的步骤中,
观察配备于所述显示基板上并沿所述第一方向以及与所述第一方向交叉的第二方向排列的多个开口。
9.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其中,
所述数据是连接所述预设的位置的中心和所述开口的中心的假想的线与沿所述第一方向延伸的假想的线所构成的角度。
10.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其中,
所述数据是通过所述预设的位置的中心的假想的第一延伸线和通过所述开口的中心并与所述第一延伸线平行的假想的第二延伸线之间的间距。
11.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其中,
激光照射的位置是所述开口的内部。
12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法,其中,
选择所述开口中的一部分而照射激光。
13.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其中,
所述开口以分别使包括于所述显示基板的多个像素电极以及辅助电极暴露的方式形成于像素定义膜。
14.如权利要求13所述的显示装置的制造方法,其中,
仅朝暴露所述辅助电极的所述开口照射激光。
15.如权利要求6所述的显示装置的制造方法,还包括如下步骤;
在所述显示基板上沉积中间层,
其中,沉积所述中间层的步骤在移动所述显示基板之前进行。
16.如权利要求15所述的显示装置的制造方法,其中,
照射激光而去除所述中间层的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择