[发明专利]辐射制冷膜、制备方法以及制品

权利要求书

1.一种辐射制冷膜，其特征在于：包括第一反射层、辐射制冷功能层以及第二反射层；所述辐射制冷功能层具有相对设置的第一表面和第二表面；

所述第一反射层位于所述第一表面，所述第二反射层位于第二表面；

所述第一反射层包括第一反射层主体以及分布于所述第一反射层主体中的第一填料；所述辐射制冷功能层包括基材层以及分布于所述基材层中的辐射制冷填料；所述第二反射层包括第二反射层主体以及分布于所述第二反射层主体中的第二填料；

所述辐射制冷填料为透明碳化硅填料、透明氮化硅填料、透明氮化钛填料、透明二氧化硅填料、透明硫酸钙填料、透明碳酸钙填料以及透明有机硅填料中的至少一种；

所述第一填料为陶瓷填料、珍珠岩填料、云母填料、硅酸盐填料以及石英粉填料中的至少一种；

所述第二填料为二氧化钛填料、硫酸钡填料、碳酸钡填料以及碳酸钙填料中的至少一种；

所述第一填料占所述第一反射层的质量百分数为1%-40%；

所述辐射制冷填料占所述辐射制冷功能层的质量百分数为0.1%-5%；

所述第二填料占所述第二反射层的质量百分数为20%-60%。

2.如权利要求1所述的辐射制冷膜，其特征在于：所述第一反射层主体为聚烯烃主体、聚酯主体、聚酰胺主体、聚丙烯酸酯主体、聚氨酯主体以及氟塑料主体中的至少一种；和/或，

所述基材层为聚烯烃层、聚酯层、聚酰胺层、聚丙烯酸酯层、聚氨酯层以及氟塑料层中的至少一种；和/或，

所述第二反射层主体为聚烯烃主体、聚酯主体、聚酰胺主体、聚丙烯酸酯主体、聚氨酯主体以及氟塑料主体中的至少一种。

3.如权利要求1-2中任一项所述的辐射制冷膜，其特征在于：所述辐射制冷功能层的厚度为10μm-100μm。

4.如权利要求1-2中任一项所述的辐射制冷膜，其特征在于：所述第二反射层的厚度为10μm-50μm，所述第二反射层的热反射率不小于83%。

5.如权利要求1-2中任一项所述的辐射制冷膜，其特征在于：所述第一反射层的厚度为5μm-25μm。

6.如权利要求1-2中任一项所述的辐射制冷膜，其特征在于：还包括辅助阻隔层；所述辅助阻隔层位于所述第二反射层远离所述辐射制冷功能层的表面。

7.如权利要求6所述的辐射制冷膜，其特征在于：所述辅助阻隔层为聚烯烃层、聚酯层、聚酰胺层、聚丙烯酸酯层、聚氨酯层、氟塑料层中的至少一种。

8.如权利要求6所述的辐射制冷膜，其特征在于：所述辅助阻隔层的厚度为5μm-25μm。

9.一种辐射制冷膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

将第一反射层主体的原料与第一填料混合造粒，得到第一混合料；

将基材层的原料与辐射制冷填料混合造粒，得到辐射制冷混合料；

将第二反射层主体的原料与第二填料混合造粒，得到第二混合料；

将所述第一混合料、所述辐射制冷混合料以及所述第二混合料分别挤出并形成所述第一混合料、所述辐射制冷混合料以及所述第二混合料依次层叠的结构，得到流延料；

将所述流延料流延成型；

所述辐射制冷填料为透明碳化硅填料、透明氮化硅填料、透明氮化钛填料、透明二氧化硅填料、透明硫酸钙填料、透明碳酸钙填料以及透明有机硅填料中的至少一种；

所述第一填料为陶瓷填料、珍珠岩填料、云母填料、硅酸盐填料以及石英粉填料中的至少一种；

所述第二填料为二氧化钛填料、硫酸钡填料、碳酸钡填料以及碳酸钙填料中的至少一种；

所述第一填料占所述第一反射层的质量百分数为1%-40%；

所述辐射制冷填料占所述辐射制冷功能层的质量百分数为0.1%-5%；

所述第二填料占所述第二反射层的质量百分数为20%-60%。