[发明专利]传感器元件、气体传感器以及传感器元件的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010985076.X 申请日: 2020-09-18
公开(公告)号: CN112525967A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 古田齐;小岛章敬 申请(专利权)人: 日本特殊陶业株式会社
主分类号: G01N27/407 分类号: G01N27/407;G01N27/41;G01N27/409
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器 元件 气体 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种传感器元件,是沿轴线方向延伸的层叠型的传感器元件,其具备:在层叠方向上隔开间隔地配置的第一陶瓷层和第二陶瓷层;以及第三陶瓷层,其在所述层叠方向上被插装在所述第一陶瓷层与所述第二陶瓷层之间,所述第三陶瓷层的内部具有空隙,并且所述传感器元件具备由所述第三陶瓷层的所述空隙、所述第一陶瓷层以及所述第二陶瓷层形成的内部空间,所述传感器元件的特征在于,

在所述内部空间的周缘且同所述内部空间接触的所述第一陶瓷层与所述第三陶瓷层之间的部位插装有第四陶瓷层,所述第四陶瓷层以与作为所述第一陶瓷层及所述第三陶瓷层的主要成分的陶瓷材料不同的陶瓷材料为主要成分。

2.根据权利要求1所述的传感器元件,其特征在于,

所述第四陶瓷层的收缩开始温度比所述第一陶瓷层及所述第三陶瓷层的收缩开始温度低。

3.根据权利要求1或2所述的传感器元件,其特征在于,

在所述内部空间的周缘且同所述内部空间接触的所述第二陶瓷层与所述第三陶瓷层之间的部位插装有第五陶瓷层,所述第五陶瓷层以与作为所述第二陶瓷层及所述第三陶瓷层的主要成分的陶瓷材料不同的陶瓷材料为主要成分。

4.根据权利要求3所述的传感器元件,其特征在于,

所述第五陶瓷层的收缩开始温度比所述第二陶瓷层及所述第三陶瓷层的收缩开始温度低。

5.根据权利要求1~4中的任一项所述的传感器元件,其特征在于,

所述第四陶瓷层以跨越所述内部空间的周缘的方式延伸。

6.根据权利要求1~5中的任一项所述的传感器元件,其特征在于,

所述第四陶瓷层是多孔质层。

7.根据权利要求1~6中的任一项所述的传感器元件,其特征在于,

所述第一陶瓷层和所述第三陶瓷层含有超过其质量的50%的Al2O3

所述第四陶瓷层含有超过其质量的50%的ZrO2

8.根据权利要求1~7中的任一项所述的传感器元件,其特征在于,

所述第四陶瓷层不在所述第一陶瓷层和所述第三陶瓷层的外表面露出。

9.根据权利要求2~8中的任一项所述的传感器元件,其特征在于,

所述第五陶瓷层以跨越所述内部空间的周缘的方式延伸。

10.根据权利要求2~9中的任一项所述的传感器元件,其特征在于,

所述第五陶瓷层为多孔质层。

11.根据权利要求2~10中的任一项所述的传感器元件,其特征在于,

所述第二陶瓷层和所述第三陶瓷层含有超过其质量的50%的Al2O3

所述第五陶瓷层含有超过其质量的50%的ZrO2

12.根据权利要求2~11中的任一项所述的传感器元件,其特征在于,

所述第五陶瓷层不在所述第二陶瓷层和所述第三陶瓷层的外表面露出。

13.一种气体传感器,具备根据权利要求1~12中的任一项所述的传感器元件和用于保持所述传感器元件的主金属装配构件。

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