[发明专利]一种基于神经网络的碳化硅MOS器件结温在线测量方法在审
申请号: | 202010985179.6 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN112098798A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 高成;王长鑫;黄姣英 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G06F30/3308;G06N3/08;G06N3/12;G06F119/08 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 神经网络 碳化硅 mos 器件 在线 测量方法 | ||
1.一种基于神经网络的碳化硅MOS结温在线测量方法,其特征在于:该方法具体步骤如下:
步骤一,建立器件的热模型。
建立器件的SPICE热模型,将暂态热阻特性通过电路进行仿真计算,也就是将暂态热阻转换成等价的电路进行仿真的模型。
参考SPICE语言的器件热模型网络列表,确定器件模型各电路符号与器件各引脚的对应关系,建立热模型。
步骤二,通过仿真获得神经网络训练集数据。
参考器件手册和器件网络模型列表,在仿真软件中设计仿真电路。仿真器件在不同条件下的工作状态,获得神经网络训练集数据。
结合数据手册,选取栅极驱动电压VGS漏极电流和结温的参数范围,在选定范围内,进行参数直流扫描分析,测定漏极通态电压VDS_ON,得到神经网络的训练集数据。训练集中每组数据都包括栅极驱动电压VGS、漏极电流ID、漏极通态电压VDS_ON、结温Tj四个工作状态下的参数。
步骤三,依据获得的训练集数据,建立神经网络模型并进行训练。
初始化神经网络模型,将遗传算法和BP神经网络相结合,形成优化的神经网络模型,并将其应用到碳化硅MOS器件的结温监测。使用MATLAB软件实现神经网络模型的建立和训练。
步骤四,通过实时测量获取器件工作状态下的电参数值。
根据实际应用需求,确定器件工作条件和工作环境的散热条件。在器件实际工作状态下,实时测量获取电路状态信息,即工作状态下的三个电参数值,即栅极驱动电压VGS、漏极电流ID和漏极通态电压VDS_ON。
步骤五,在上位机软件中调用神经网络,通过输入电路状态信息,进行结温预测。
使用LabVIEW和MATLAB联合编程,设计上位机软件,通过MATLAB Script节点实现神经网络代码的调用。
软件实现的功能为:输入实时测得的栅极驱动电压VGS、漏极电流ID和漏极通态电压VDS_ON,调用优化后的神经网络模型进行结温预测,输出结温数值,并进行高温或低温的判断。
2.根据权利要求1所述的一种基于神经网络的碳化硅MOS结温在线测量方法,其特征在于:
步骤三中所述的遗传算法优化BP神经网络算法流程的具体步骤如下:
S1、首先确定遗传算法的适应度函数Fitness,在神经网络模型中,适应度函数为测试样本的误差精度的倒数。
S2、初始化神经网络的拓扑结构,对网络权值wi和阈值bi进行实数编码。
S3、确定群体大小和最大迭代次数。对群体进行交叉,选择和变异操作。达到设定的迭代次数后,解码得到最佳权值wi与阈值bi。
S4、将解码所得的最佳权值与阈值应用于BP神经网络,进行网络训练和测试,得到优化的神经网络模型。
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