[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。在基板的表层部，设置有具有导电性的子集电极层。在俯视时，在子集电极层的内部，配置有集电极层、基极层、以及发射极层。集电极层与子集电极层连接。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的发射极电极配置于与发射极层重叠的位置。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的基极电极在与第一方向正交的第二方向上与发射极电极隔着间隔来配置。在俯视时，从发射极电极观察集电极电极配置于第二方向的一侧，而未配置于另一侧。在基极电极的长度方向的两端以外的部位，基极布线与基极电极连接。

技术领域

本发明涉及包含双极晶体管的半导体装置。

背景技术

在移动终端等利用高频无线通信的设备中，作为发送用的功率放大电路的放大元件，使用异质结双极晶体管(HBT)。在下述的专利文献1中，公开了与大输出功率对应的功率放大用HBT。

在专利文献1所公开的HBT中，在与发射极的长边方向正交的方向上，依次并排配置有集电极电极、基极电极、发射极电极、基极电极、发射极电极、基极电极、以及集电极电极。

专利文献1：日本特开2007－242727号公报

在HBT等双极晶体管中，提出了实现安全动作区域(SOA)的扩大、以及击穿电压的提高的各种方案，但希望进一步扩大SOA，并进一步提高击穿电压。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，具有：

至少一个子集电极层，设置于基板的表层部，具有导电性，在俯视时被绝缘性的区域围起；

双极晶体管，在俯视时配置于各个上述子集电极层的内部，在厚度方向上依次具备集电极层、基极层、以及发射极层，且上述集电极层与上述子集电极层连接；

发射极电极，俯视时在第一方向上具有较长的形状，并配置于与上述发射极层重叠的位置，与上述发射极层电连接；

基极电极，俯视时在上述第一方向上具有较长的形状，在与上述第一方向正交的第二方向上与上述发射极电极隔着间隔来配置，与上述基极层电连接；

集电极电极，在俯视时，从上述发射极电极观察配置于上述第二方向的一侧，而未配置于另一侧，并经由上述子集电极层与上述集电极层电连接；以及

基极布线，在上述基极电极的长度方向的两端以外的部位与上述基极电极连接。

通过如上述那样设定发射极电极与集电极电极的位置关系，并如上述那样设定基极电极与基极布线的连接位置，能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高。

附图说明

图1是表示第一实施例的半导体装置的多个构成要素的平面布局的图。

图2A以及图2B分别是图1的点划线2A－2A上的剖视图、以及点划线2B－2B上的剖视图。

图3是表示第一实施例以及比较例的半导体装置的构成要素的俯视时的布局的图。

图4A是表示第一实施例的另一比较例的半导体装置的构成要素的俯视时的布局的图，图4B是图4A的点划线4B－4B上的剖视图。

图5A是表示第一实施例的又一比较例的半导体装置的构成要素的俯视时的布局的图，图5B是图5A的点划线5B－5B上的剖视图。

图6是表示试样S0、S4、S5的SOA边界的迁移电压与击穿边界的电压的关系的测定结果的图表。

图7是第一实施例的变形例的半导体装置的剖视图。

图8是第一实施例的又一变形例的半导体装置的剖视图。