[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置，包括：外围电路区，其包括第一衬底和第一衬底上的电路元件；以及存储器单元区，其包括：第二衬底，其位于第一衬底的上部分上；栅电极，其彼此间隔开并竖直地堆叠在第二衬底上；沟道结构，其穿过栅电极竖直地延伸到第二衬底；第一分离区，其穿透沟道结构之间的栅电极并在一个方向上延伸；以及第二分离区，其竖直地延伸以从上方穿透第二衬底并具有由于宽度的改变而导致的弯曲部分。

相关申请的交叉引用

于2019年9月26日在韩国知识产权局提交的标题为“半导体装置”的韩国专利申请No.10-2019-0118980以引用方式全部并入本文中。

技术领域

实施例涉及一种半导体装置。

背景技术

半导体装置用于处理大量数据，同时其大小逐渐减小，由此驱使构成半导体装置的半导体元件的集成度提高。可以通过使用竖直晶体管结构代替平面晶体管结构来提高半导体装置的集成度。

发明内容

实施例涉及一种半导体装置，包括：外围电路区，其包括第一衬底和第一衬底上的电路元件；以及存储器单元区，其包括：第二衬底，其位于第一衬底的上部分上；栅电极，其彼此间隔开并竖直地堆叠在第二衬底上；水平导电层，其位于第二衬底与栅电极之间；沟道结构，其穿过栅电极竖直地延伸到第二衬底；第一分离区，其穿透沟道结构之间的栅电极并在一个方向上延伸；单元区绝缘层，其覆盖栅电极的堆叠结构；以及第二分离区，其竖直地延伸以从上方穿透第二衬底。第二分离区可以包括第一区和第二区，第一区以沟槽形式从上方向第二衬底内侧延伸，第二区在第二衬底内连接到第一区的下端，第二区的宽度大于第一区的宽度，并且第二区具有圆的外表面。

实施例还涉及一种半导体装置，包括：外围电路区，其包括第一衬底和第一衬底上的电路元件；以及存储器单元区，其包括位于第一衬底的上部分上的第二衬底、彼此间隔开并竖直地堆叠在第二衬底上的栅电极、穿过栅电极竖直地延伸到第二衬底的沟道结构、穿过沟道结构之间的栅电极并在一个方向上延伸的第一分离区、以及竖直地延伸以从上方穿透第二衬底的第二分离区，第二分离区具有由于宽度的改变而导致的弯曲部分。

实施例还涉及一种半导体装置，包括：第一衬底；电路元件，其位于第一衬底上；第一绝缘层，其覆盖电路元件；第二衬底，其设置在第一绝缘层上；栅电极，其彼此间隔开并竖直地堆叠在第二衬底上；第二绝缘层，其覆盖栅电极；以及分离区，其与栅电极间隔开，穿透第二绝缘层和第二衬底以竖直地延伸到第二衬底，并且具有弯曲部分。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例实施例，特征对本领域技术人员而言将变得显而易见，在附图中：

图1是根据示例实施例的半导体装置的示意性平面图；

图2A和图2B是根据示例实施例的半导体装置的示意性局部放大图；

图3是根据示例实施例的半导体装置的示意性截面图；

图4A至图4C是根据示例实施例的半导体装置的局部放大图；

图5是根据示例实施例的半导体装置的示意性截面图；

图6是根据示例实施例的半导体装置的局部放大图；

图7A和图7B是根据示例实施例的半导体装置的示意性截面图；

图8A至图16B是示出了根据示例实施例的制造半导体装置的方法中的各阶段的示意性截面图；以及

图17A至图18B是示出了根据示例实施例的制造半导体装置的方法中的各阶段的示意性截面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述示例实施例。

图1是根据示例实施例的半导体装置的示意性平面图。