[发明专利]具有基于铝的接合焊盘材料的半导体衬底在审
| 申请号： | 202010986411.8 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112542436A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | G·普法尔;D·博洛夫斯基;M·S·布罗尔;M·克罗伊茨;E·纳佩特施尼格;H·舒尔策;S·韦勒特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48;C22C21/10;C22C21/16;C22C21/06;C22C21/00;C22C21/02;C22C21/08;C22C21/12;C23C14/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 基于 接合 材料 半导体 衬底 | ||
1.一种具有接合焊盘(110)的半导体衬底(100)，所述接合焊盘(110)包括铝合金层，所述铝合金所具有的化学成分包括：
按重量计至少0.3％的Zn、Mg、Sc、Zr、Ti、Ag和/或Mn中的至少一种，
可选地，Cu和/或Si，
其余为铝和附带的杂质。
2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述铝合金具有包括按重量计至少0.3％的Zn、Mg、Sc和/或Zr中的至少一种的化学成分。
3.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述铝合金具有包括选自Zn、Mg、Cu、Si和Sc的主要合金元素的主要合金元素，其中，如果所述主要合金元素是Cu，则所述化学成分还包括按重量计至少0.3％的Zn、Ti、Mg和/或Ag中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述接合焊盘具有至少1μm的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金包括AlZnMgCu、AlCuTiMgAg、AlCuZr、AlSc、AlMgZr、AlSiZr或AlMgSi，其余为附带的杂质。
6.根据权利要求1或2所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有AlZnMgCu的化学成分。
7.根据权利要求6所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有按重量百分比计的以下化学成分，所述化学成分包括5.1％wt≤Zn≤6.2％wt、2.1％wt≤Mg≤2.9％wt、1.2％wt≤Cu≤2.0％wt，其余为Al和附带的杂质。
8.根据权利要求1或2所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有AlCuTiMgAg的化学成分。
9.根据权利要求8所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有按重量百分比计的以下化学成分，所述化学成分包括0.5％≤Cu≤8.0％wt、0.3％wt≤Ti≤1.0％wt、0.5％wt≤Mg≤1.0％wt、0.5％wt≤Ag≤3.0％wt，其余为Al和附带的杂质。
10.根据权利要求1或2所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有AlCuZr的化学成分。
11.根据权利要求10所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有按重量百分比计的以下化学成分，所述化学成分包括0.3％wt≤Cu≤5.0％wt、0.3％wt≤Zr≤5.0％wt，其余为Al和附带的杂质。
12.根据权利要求1或2所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有AlSc的化学成分。
13.根据权利要求12所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有按重量百分比计的以下化学成分，所述化学成分包括0.3％wt≤Sc≤5.0％wt，其余为Al和附带的杂质。
14.根据权利要求1或2所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有AlMgZr的化学成分。
15.根据权利要求14所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有按重量百分比计的以下化学成分，所述化学成分包括0.3％wt≤Mg≤5.0％wt、0.3％wt≤Zr≤5.0％wt，其余为Al和附带的杂质。
16.根据权利要求1或2所述的半导体衬底(100)，其中，所述铝合金具有AlSiZr的化学成分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010986411.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
