[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有金属结构层、第一抗反射层、图形化的第二抗反射层和图形化的第一光刻胶层，所述图形化的第一光刻胶层中具有第一开口，所述第一开口延伸至所述图形化的第二抗反射层中，并暴露出部分所述第一抗反射层，且暴露出的所述第一抗反射层上形成有凸起层；

对所述半导体衬底执行第一次灰化处理，以去除部分厚度的所述图形化的第一光刻胶层；

对所述半导体衬底进行清洗，以去除部分所述图形化的第一光刻胶层和部分凸起层；

对清洗后的所述半导体衬底执行第二次灰化处理，以去除剩余的所述凸起层、剩余的所述图形化的第一光刻胶层和所述图形化的第二抗反射层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在120℃以下的条件下，通过氧气与一辅助气体的混合气体执行所述第一次灰化处理和第二次灰化处理，且所述第一次灰化处理和所述第二次灰化处理的时间为60s～120s。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述辅助气体为氮气、氢气和含氟气体中的至少一种。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行清洗的方法包括：

对所述半导体衬底进行第一次清洗，以去除部分所述凸起层和部分所述图形化的第一光刻胶层；以及，

对所述半导体衬底进行第二次清洗，以去除部分所述图形化的第一光刻胶层和部分所述凸起层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一次清洗的时间至少为60s；所述第二次清洗的时间为360s～440s。

6.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一次清洗和所述第二次清洗采用的清洗溶液为酸性溶液。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对清洗后的所述半导体衬底执行第二次灰化处理之后，所述半导体器件的制造方法还包括：

在所述第一抗反射层上形成图形化的第二光刻胶层，所述图形化的第二光刻胶层暴露出部分所述第一抗反射层；

以所述图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一抗反射层，以形成图形化的第一抗反射层，所述图形化的第一抗反射层中具有第二开口，所述第二开口暴露出部分所述金属结构层；

以所述图形化的第二光刻胶层和所述图形化的第一抗反射层为掩膜，刻蚀暴露出的所述金属结构层，以形成贯穿所述金属结构层的第三开口；以及，

去除所述图形化的第二光刻胶层和所述图形化的第一抗反射层；其中，刻蚀所述第一抗反射层与刻蚀暴露出的所述金属结构层之间的间隔时间等于或者小于60min。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属结构层包括依次堆叠的第一粘合层、金属层和二粘合层，所述第一粘合层覆盖所述半导体衬底。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一粘合层包括第一钛层和覆盖所述第一钛层的第一氮化钛层，所述第二粘合层包括第二钛层和覆盖所述第二钛层的第二氮化钛层，所述金属层包括一铝层。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一抗反射层的材质为有机物，所述第二抗反射层的材质为氧化物和氮氧化物。