[发明专利]焦平面芯片介质膜剥离装置及焦平面芯片介质膜剥离方法有效
申请号: | 202010986869.3 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN112071957B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京智创芯源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/101 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张欣然 |
地址: | 100095 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 芯片 介质 剥离 装置 方法 | ||
1.一种焦平面芯片介质膜剥离装置,其特征在于,包括剥离腔(1),所述剥离腔(1)的内腔中设置用于固定芯片的承托板(2),所述承托板(2)与所述剥离腔(1)的底面具有间隙,所述承托板(2)上设置用于使杂质落下的落料孔(21);所述剥离腔(1)内用于盛放剥离溶液,剥离溶液将芯片浸没;
所述剥离腔(1)的上盖上正对芯片的位置设置剥离进气管(11),所述剥离进气管(11)用于竖向正对芯片的上表面吹气,气体从所述剥离腔(1)上开设的排气孔(12)中排出;
所述剥离腔(1)的侧壁上设置循环进气管(13),所述循环进气管(13)用于横向向所述承托板(2)的上表面吹气,使剥离溶液循环流动。
2.根据权利要求1所述的焦平面芯片介质膜剥离装置,其特征在于,所述承托板(2)上贯通设置吸片口(22),真空管(3)的顶端插装在所述吸片口(22)上,所述真空管(3)的底端连接于真空泵,用于将放置在所述吸片口(22)上的芯片吸附固定。
3.根据权利要求2所述的焦平面芯片介质膜剥离装置,其特征在于,所述真空管(3)的底端连接于所述剥离腔(1)的底面,由所述剥离腔(1)底部的抽气装置抽出气体。
4.根据权利要求3所述的焦平面芯片介质膜剥离装置,其特征在于,所述剥离腔(1)密封对接吸气底座(4),所述吸气底座(4)与所述剥离腔(1)的底面形成密闭空腔;
所述吸气底座(4)上设置抽气接口(41),所述抽气接口(41)连接膜片泵抽真空。
5.根据权利要求4所述的焦平面芯片介质膜剥离装置,其特征在于,所述抽气接口(41)设置在所述吸气底座(4)的侧壁上,所述抽气接口(41)与所述吸气底座(4)的底面之间具有间距。
6.根据权利要求1所述的焦平面芯片介质膜剥离装置,其特征在于,所述剥离腔(1)的内腔侧壁上设置承托凸台(14)和上盖凸台(15),所述承托板(2)由所述承托凸台(14)承托限位,所述上盖凸台(15)用于密封承托所述剥离腔(1)的上盖。
7.根据权利要求6所述的焦平面芯片介质膜剥离装置,其特征在于,所述承托板(2)上设置方便抬起的拉手或者在侧边处设置缺口。
8.一种焦平面芯片介质膜剥离方法,应用于权利要求1至7任一项所述的焦平面芯片介质膜剥离装置,其特征在于,包括:
将芯片固定在剥离腔(1)的内腔中设置的承托板(2)上;
向所述剥离腔(1)的内腔中注入剥离溶液,使剥离溶液浸没芯片;
通过所述剥离腔(1)的上盖设置的剥离进气管(11)正对芯片吹气,使气流带动剥离溶液冲击芯片的表面;
还包括从所述剥离腔(1)侧壁上设置的循环进气管(13)向所述承托板(2)的上表面吹气,使剥离溶液循环流动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京智创芯源科技有限公司,未经北京智创芯源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010986869.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种UV快干布彩及其制备方法
- 下一篇:服务器、显示设备及通信方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的