[发明专利]一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法

权利要求书

1.一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)选取人造石英块状籽晶；

(2)在籽晶+x晶向开槽，将籽晶制成U型籽晶块；

(3)将优质石英原料破碎成块状，经过水洗、碱洗、水洗稀释、烘干，放入高压釜下部溶解区；

(4)将带有U型槽的籽晶块腐蚀后，用挡板遮挡U型块状籽晶两侧和底面，U型槽开口向下悬挂在晶体生长架上，将晶体生长架放入高压釜内上部生长区；

(5)待U型槽内部填满，形成人造石英晶体完整外形后停止生长，去除籽晶原有U型部分，提取U型槽内新填充部分石英晶体，得到低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶；

其中，所述步骤(1)中，人造石英块状籽晶的规格为：长度l≥200mm，方向为y晶向；宽度w≥90mm，方向为x晶向；厚度t＝30～150mm，方向为z晶向；籽晶各表面无刀痕、内部无双晶；

所述U型块的U型槽形状为：槽深h≥80mm，槽宽w1≥180mm，U型转角处有弧形倒边，槽内籽晶边缘光滑无裂纹、无破边；U型槽外侧开口宽度略大于内侧5～15mm；

所述人造石英晶体生长过程中进行温度压力控制：升温功率控制为90％～100％额定功率，240～270℃后升温功率控制为40～90％额定功率，至结晶区温度330℃～350℃，溶解区温度360℃～380℃，温差20～35℃；生长压力120～140MPa；

所述生长区与溶解区通过节流隔板隔开，节流隔板使用双层隔板，上下层孔隙错开，节流隔板的开孔率为5～8％。

2.根据权利要求1所述的一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法，其特征在于，溶解区内含有矿化剂，矿化剂包括：1.0-2.0mol/L的NaOH、0.05-0.15mol/L的LiOH和0.05-0.15mol/L的NaNO₂，矿化剂溶液填充度80～83.5％。

3.根据权利要求1所述的一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法，其特征在于，步骤(5)中，完整外形的人造石英晶体通过切割、研磨方式去除籽晶原有U型部分，提取U型槽内新填充部分石英晶体；按z晶向切割制成Z向切型籽晶，即为低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶。