[发明专利]一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法

说明书

本发明属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法，包括以下几个步骤：步骤一：将基片置于匀胶台旋转头上，基片低速旋转，并将光刻胶滴入基片上，光刻胶在基片上铺展开；步骤二：提高所述步骤一中基片的旋转速度，使得基片高速转动，光刻胶在基片上变薄；步骤三：对所述步骤二中高速转动的基片进行排风干燥，去除胶层中多余的溶剂且排尽溶剂蒸气。该方法提高了膜厚均匀度，进而提高了光刻的效果。

技术领域

本发明属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法。

背景技术

在半导体加工工艺领域，光刻工艺是不可或缺的加工环节。传统的光刻工艺包括涂胶、曝光和显影三个主要步骤。

膜厚对光刻的效果具有重要的影响，但是该传统工艺形成的膜厚均匀性极差。因此本发明提供用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法，该方法提高了膜厚均匀度，进而提高了光刻的效果。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明提供一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法，包括以下几个步骤：

步骤一：将基片置于匀胶台旋转头上，基片低速旋转，并将光刻胶滴入基片上，光刻胶在基片上铺展开；

步骤二：提高所述步骤一中基片的旋转速度，使得基片高速转动，光刻胶在基片上变薄；

步骤三：对所述步骤二中高速转动的基片进行排风干燥，去除胶层中多余的溶剂且排尽溶剂蒸气，同时对基片进行加热，彻底干燥固化光刻胶。

所述步骤一中基片的转速为400-500rpm。

所述步骤二中基片的转速为1500-6000rpm，转动时间为10-300s。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1.本发明采用动态滴胶的方式进行滴胶，首先在基片低速旋转时滴入光刻胶，光刻胶在基片上铺展开，减少光刻胶的浪费，而后提高基片的旋转速度，使得基片高速转动，光刻胶在基片上变薄，采用动态滴胶不需要很多光刻胶就能润湿(铺展覆盖)整个基片表面，尤其是当光刻胶或基片本身润湿性不好的情况下，动态滴胶尤其适用，不会产生针孔。

2.本发明采用排风干燥的明显的优点为：匀胶时，光刻胶的干燥速度慢，对环境湿度的敏感性小，干燥(溶剂挥发)速率较慢带来的好处是胶面膜厚均匀性好；而匀胶时，在光刻胶被甩向基片边缘的同时，由于溶剂挥发，光刻胶也同时得以干燥，这样会造成光刻胶膜厚沿径向不均匀，因为光刻胶的粘度随基片中心到边缘的距离发生了变化，通过降低溶剂挥发速度使整个基片表面上光刻胶的粘度保持比较恒定。

附图说明

图1为本发明一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法的流程图。

具体实施方式

如说明书附图图1所示的一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法，包括以下几个步骤：

步骤一：将基片置于匀胶台旋转头上，基片低速旋转，并将光刻胶滴入基片上，光刻胶在基片上铺展开；

步骤二：提高步骤一中基片的旋转速度，使得基片高速转动，光刻胶在基片上变薄；

步骤三：对步骤二中高速转动的基片进行排风干燥，去除胶层中多余的溶剂且排尽溶剂蒸气，同时对基片进行加热，彻底干燥固化光刻胶。

步骤一中基片的转速为400-500rpm。

步骤二中基片的转速为1500-6000rpm，转动时间为10-300s。

实施例一