[发明专利]晶圆的调整方法、调整装置、键合控制方法和控制装置

说明书

本申请提供了一种晶圆的调整方法、调整装置、键合控制方法和控制装置。该晶圆的调整方法，包括：获取晶圆的多个结构区域的形变量；根据形变量确定调整平台的各个调整区域的真空吸附值，调整平台用于放置晶圆；控制各调整区域以对应的真空吸附值吸附对应的结构区域，以降低至少部分的结构区域的形变量。该方法利用不同真空值降低晶圆的至少部分结构区域的形变量，实现了对晶圆的至少部分发生形变量的区域的调整，保证了调整后的晶圆基本平整，缓解了因晶圆局部区域的形变量较大对后续其他工艺造成的不利影响。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶圆的调整方法、调整装置、键合的控制方法、控制装置、键合系统、计算机可读存储介质和处理器。

背景技术

晶圆在制程加工过程中，受到诸多表面薄膜以及热处理的影响，会积累大量的应力，导致晶圆发生一定程度的弯曲和膨胀，同时由于版图设计在X和Y方向上的差异，晶圆在X和Y方向的弯曲和膨胀出现很大程度上的不匹配，晶圆局部的应力会带来更加不均匀的晶圆形状。这些因素造成晶圆的某些区域形变量较大，不利于后续的键合工艺。

晶圆表面薄膜堆叠层数的增加，晶圆积累的物理应力越来越大，局部区域的形变量越来越大，导致键合过程中两片晶圆不重合，电性连接断开，造成较大的良率缺失。

因此亟需一种方法，来解决现有的晶圆的某些区域形变量较大，影响后续的工艺的问题。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种晶圆的调整方法、调整装置、键合的控制方法、控制装置、键合系统、计算机可读存储介质和处理器，以解决现有技术中晶圆的某些区域形变量较大，影响后续的工艺的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种晶圆的调整方法，包括：获取所述晶圆的多个结构区域的形变量；根据所述形变量确定调整平台的各个调整区域的真空吸附值，所述调整平台用于放置所述晶圆；控制各所述调整区域以对应的所述真空吸附值吸附对应的所述结构区域，以降低至少部分的所述结构区域的形变量。

可选地，获取所述晶圆的多个结构区域的形变量，包括：获取所述晶圆的图像；根据所述图像确定各所述结构区域在预定方向上的位置信息，所述预定方向为所述晶圆的厚度方向；根据各所述结构区域的所述位置信息，确定各所述结构区域的形变量。

可选地，根据各所述结构区域的所述位置信息，确定各所述结构区域的形变量，包括：确定在所述预定方向上的最低点或者最高点所在的所述结构区域为目标区域；根据所述目标区域的位置信息与其他的所述结构区域的位置信息作差，得到其他所述结构区域的形变量，所述目标区域的形变量为0。

可选地，根据所述形变量确定调整平台的各个调整区域的真空吸附值，包括：确定所述结构区域待放置的所述调整区域，所述结构区域与所述调整区域一一对应；根据所述形变量确定对应的所述调整区域的预定吸附力，在所述结构区域的所述形变量大于预定值的情况下，所述预定吸附力用于吸附所述结构区域且减少所述结构区域的所述形变量，在所述结构区域的所述形变量小于或者等于所述预定值的情况下，所述预定吸附力用于吸附所述结构区域；根据所述预定吸附力确定对应的所述真空吸附值。

可选地，在所述结构区域的所述形变量大于预定值的情况下，所述预定吸附力用于吸附所述结构区域且减少所述结构区域的所述形变量为0。

根据本申请的又一个方面，提供了一种晶圆的键合的控制方法，包括：采用任意一种所述的调整方法调整第一待键合晶圆；采用任意一种所述的调整方法调整第二待键合晶圆；控制所述第一待键合晶圆和所述第二待键合晶圆对位；控制对位后的所述第一待键合晶圆和所述第二待键合晶圆键合。