[发明专利]晶圆测量方法在审
申请号: | 202010988485.5 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN112201587A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 全芯智造技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 武振华;张振军 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 测量方法 | ||
1.一种晶圆测量方法,其特征在于,包括:
获取晶圆在工艺反应腔室中的方向,所述工艺反应腔室被所述晶圆覆盖的平面区域被划分为多个反应区域;
在测量腔室中测量所述晶圆的一个或多个量测点;
每当得到量测点的测量数据时,根据所述晶圆在工艺反应腔室中的方向与所述晶圆在测量腔室中的方向,确定当前量测点映射的反应区域。
2.根据权利要求1所述的晶圆测量方法,其特征在于,所述晶圆在工艺反应腔室中的方向为所述晶圆的槽口在工艺反应腔室中的槽口方向,所述晶圆在测量腔室中的方向为所述晶圆的槽口在测量腔室中的槽口方向;
根据所述晶圆在工艺反应腔室中的方向与所述晶圆在测量腔室中的方向,确定当前量测点映射的反应区域包括:
根据所述晶圆在工艺反应腔室中的槽口方向与所述晶圆在测量腔室中的槽口方向之间的角度差,确定当前量测点映射的反应区域。
3.根据权利要求2所述的晶圆测量方法,其特征在于,
根据所述晶圆在工艺反应腔室中的槽口方向与所述晶圆在测量腔室中的槽口方向之间的角度差,确定当前量测点映射的反应区域包括:
根据所述晶圆在工艺反应腔室中的槽口方向与所述晶圆在测量腔室中的槽口方向之间的角度差,确定所述当前量测点的映射角度,其中,所述映射角度用于表示所述当前量测点在所述工艺反应腔室中的映射点自预设的初始方向旋转得到的角度,所述预设的初始方向与所述测量腔室中的槽口方向一致;
根据所述当前量测点的映射角度以及半径,确定所述当前量测点映射的反应区域。
4.根据权利要求3所述的晶圆测量方法,其特征在于,所述当前量测点的映射角度的具体表达为:
θi=θj+α
其中,θi用于表示所述当前量测点的映射角度,α用于表示从所述测量腔室中的槽口方向旋转至所述工艺反应腔室中的槽口方向得到的角度差,θj用于表示从所述测量腔室中的槽口方向旋转至所述测量腔室中的当前量测点得到的角度。
5.根据权利要求1所述的晶圆测量方法,其特征在于,所述反应区域的划分数量小于等于所述量测点的数量,且每个反应区域内包含至少一个量测点的映射点。
6.根据权利要求1所述的晶圆测量方法,其特征在于,所述平面区域被均匀划分,任意两个反应区域之间的面积差小于预设偏差阈值。
7.根据权利要求1所述的晶圆测量方法,其特征在于,还包括:
根据所述当前量测点映射的反应区域的一个或多个测量数据,确定所述当前量测点的测量数据是否存在异常。
8.根据权利要求7所述的晶圆测量方法,其特征在于,根据所述当前量测点映射的反应区域的一个或多个测量数据,确定所述当前量测点的测量数据是否存在异常包括:
按照时间顺序,获取在所述当前量测点映射的反应区域内测量的多个无异常的测量数据,记为连续测量历史数据;
如果所述连续测量历史数据以及所述当前量测点的测量数据超出预设的监测规则,则确定所述当前量测点的测量数据存在异常。
9.根据权利要求8所述的晶圆测量方法,其特征在于,如果所述连续测量历史数据以及所述当前量测点的测量数据超出预设的监测规则,则确定所述当前量测点的测量数据存在异常包括以下一项或多项:
基于所述当前量测点的测量数据、预设测量值与标准差中的一项或多项,确定所述当前量测点的测量数据存在异常;
或者,基于所述连续测量历史数据、所述当前量测点的测量数据、预设测量值与标准差中的一项或多项,确定所述当前量测点的测量数据存在异常。
10.根据权利要求9所述的晶圆测量方法,其特征在于,
基于所述当前量测点的测量数据、预设测量值与标准差中的一项或多项,确定所述当前量测点的测量数据存在异常包括以下一项或多项:
如果所述当前量测点的测量数据与所述预设测量值之差不小于第一预设倍数的标准差,则确定所述当前量测点的测量数据存在异常;
基于所述连续测量历史数据、所述当前量测点的测量数据、预设测量值与标准差中的一项或多项,确定所述当前量测点的测量数据存在异常包括:
如果在所述连续测量历史数据以及所述当前量测点的测量数据中,有第一预设数量个连续测量数据中的第二预设数量个测量数据超出预设测量值的预设倍数的标准差,则确定所述当前量测点的测量数据存在异常,其中,所述第一预设数量大于第二预设数量;
如果所述连续测量历史数据以及所述当前量测点的测量数据中存在第三预设数量个连续测量数据均高于或均低于预设时长内的测量数据的平均值,则确定所述当前量测点的测量数据存在异常;
如果所述连续测量历史数据以及所述当前量测点的测量数据中存在第四预设数量个连续测量数据均超出所述预设测量值第四预设倍数的标准差,则确定所述当前量测点的测量数据存在异常;
如果所述连续测量历史数据以及所述当前量测点的测量数据中存在第五预设数量个连续测量数据在所述预设测量值的第五预设倍数的标准差内,则确定所述当前量测点的测量数据存在异常;
如果所述连续测量历史数据以及所述当前量测点的测量数据中存在第六预设数量个连续测量数据,且所述第六预设数量个连续测量数据中连续两点的连线与预设的测量中心线的交叉次数超出预设上限值或者低于预设下限值,则确定所述当前量测点的测量数据存在异常;
如果所述连续测量历史数据以及所述当前量测点的测量数据中存在第七预设数量个连续测量数据呈持续上升或下降趋势,则确定所述当前量测点的测量数据存在异常。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全芯智造技术有限公司,未经全芯智造技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010988485.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造