[发明专利]光子结构在审
| 申请号： | 202010988554.2 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112540426A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈建宏;徐敏翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光子 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种光子结构，包括：
一半导体基底；
一埋藏氧化物层，位于该半导体基底之上；
一光耦合区，位于该埋藏氧化物层之上，其中该光耦合区朝着该光耦合区的一终端渐缩，该终端位于该半导体基底的一边缘；以及
一氧化物结构，埋入该半导体基底中，其中在平面图中，该光耦合区重叠该氧化物结构。
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