[发明专利]等离子激元结构及钙钛矿光电器件

权利要求书

1.一种等离子激元结构，其特征在于，包括：纳米金属颗粒内核、包裹所述纳米金属颗粒内核的外壳层、以及位于所述外壳层外侧的钝化修饰分子；

所述外壳层的材料选自电介质材料和/或宽禁带半导体材料；

所述钝化修饰分子包括：连接在所述外壳层上的外壳层钝化端、钝化分子碳链以及钙钛矿钝化端；所述钝化分子碳链连接所述外壳层钝化端和所述钙钛矿钝化端；所述外壳层钝化端包括：至少一个钝化官能团，所述钝化官能团包括：胺基、膦基、羧基、磺基、巯基中的至少一种；所述钙钛矿钝化端包括：至少一个含有孤对电子的官能团。

2.根据权利要求1所述的等离子激元结构，其特征在于，所述钝化分子碳链具有4-20个碳原子。

3.根据权利要求2所述的等离子激元结构，其特征在于，所述钝化分子碳链具有6-15个碳原子。

4.根据权利要求1所述的等离子激元结构，其特征在于，所述钝化分子碳链中，1-4个碳原子被氧原子取代。

5.根据权利要求1所述的等离子激元结构，其特征在于，所述钝化分子碳链中的碳原子上，连接有1-2个苯环。

6.根据权利要求1所述的等离子激元结构，其特征在于，所述钙钛矿钝化端是胺基和/或胍基。

7.根据权利要求1-6中任一所述的等离子激元结构，其特征在于，所述纳米金属颗粒的材料选自金、银、铜、铝、镍、锡、铟、镓中的至少一种；

所述纳米金属颗粒的形状为球体、半球体、类球体，圆柱体、圆锥体、立方体、长方体中的一种；

所述纳米金属颗粒的尺寸为1-50nm；

所述电介质材料的介电常数为1.2-200，所述宽禁带半导体材料的禁带宽度大于或等于2.3eV；所述外壳层的厚度为1-20nm。

8.根据权利要求7所述的等离子激元结构，其特征在于，所述纳米金属颗粒的尺寸为1-20nm；所述外壳层的厚度为1-5nm。

9.根据权利要求7所述的等离子激元结构，其特征在于，所述电介质材料选自氧化钛、氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化钽、氮化铝中的至少一种；所述宽禁带半导体材料选自碳化硅、氮化镓、氧化镓、氧化锌中的至少一种。

10.一种钙钛矿光电器件，其特征在于，包含钙钛矿材料层，权利要求1-9中任一项所述的等离子激元结构位于所述钙钛矿材料层与其他功能层的界面处、所述钙钛矿材料层的表面处或所述钙钛矿材料层内。