[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区和台阶区，所述台阶区包括连接区和至少一个分区台阶区，所述连接区用于连接每个所述分区台阶区和所述核心存储区；

形成初始掩模图案，所述初始掩模图案覆盖所述连接区和每个所述分区台阶区，并且所述初始掩模图案在每个所述分区台阶区中形成开口；

在每个所述分区台阶区中形成以所述开口为中心向四周逐渐升高的初始台阶结构；以及

将每个所述分区台阶区中的所述初始台阶结构划分为N个子台阶区，且处理所述N个子台阶区以形成N个子台阶结构，其中，所述N个子台阶结构在所述堆叠层的深度不同。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，处理所述N个子台阶区以形成N个子台阶结构的步骤包括：

形成第一掩模图案，所述第一掩模图案覆盖所述连接区和所述N个子台阶区中的部分子台阶区，并暴露所述N个子台阶区中的其余子台阶区；以及

刻蚀暴露的子台阶区，使所述暴露的子台阶区下降第一预定层数。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，处理所述N个子台阶区以形成N个子台阶结构的步骤还包括：

形成第二掩模图案，所述第二掩模图案覆盖所述连接区和所述N个子台阶区中的部分子台阶区，并暴露其余的子台阶区，其中，所述第二掩模图案覆盖的子台阶区与所述第一掩模图案覆盖的子台阶区有部分重叠；以及

刻蚀暴露的子台阶区，使所述暴露的子台阶区下降第二预定层数。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述台阶区包括至少两个分区台阶区，处理每个分区台阶区中的所述N个子台阶区以在每个分区台阶区中形成N个子台阶结构的步骤还包括：

形成第三掩模图案，所述第三掩模图案覆盖所述连接区和所述至少两个分区台阶区中的部分分区台阶区，暴露其余的分区台阶区；以及

刻蚀暴露的分区台阶区，使所述暴露的分区台阶区下降第三预定层数。

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，N＝4，位于同一分区台阶区中的4个子台阶区呈矩阵阵列分布，所述第一掩模图案覆盖所述连接区和位于其中一行的两个子台阶区，所述第二掩模覆盖所述连接区和位于其中一列的两个子台阶区。

6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一预定层数、第二预定层数和第三预定层数都等于所述分区台阶区中当前的台阶总数。

7.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述至少两个分区台阶区分布在所述连接区的两侧。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上方的堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区和台阶区，所述台阶区包括连接区和至少一个分区台阶区，所述连接区连接每个所述分区台阶区和核心存储区；

每个所述分区台阶区包括N个子台阶区，每个所述子台阶区形成有从所述分区台阶区的内部向四周逐渐升高的子台阶结构，处于同一分区台阶区内的N个子台阶结构在所述堆叠层的深度不同。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述连接区将所述台阶区划分为呈矩阵阵列分布的多个分区台阶区。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述N个子台阶结构的台阶数量相等。

11.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述N个子台阶区的覆盖面积相等。

12.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，N＝4，位于同一分区台阶区中的4个子台阶区呈矩阵阵列分布。

13.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述台阶区包括至少两个分区台阶区，至少两个不同的分区台阶区中的子台阶结构在所述堆叠层的深度不同。