[发明专利]包括薄多孔集电器的参考电极组件及制造该集电器的方法

权利要求书

1.一种制造用于参考电极组件的部件的方法，所述方法包括：

提供隔板层，所述隔板层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述隔板层是电绝缘的和离子导电的；以及

将第一集电器层溅射到所述第一表面，所述溅射包括磁控管溅射沉积或离子束溅射沉积，其中，通过对所述第一集电器层的所述溅射，所述隔板层的孔隙率基本上没有改变。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

将第二集电器层溅射到所述第二表面，所述溅射包括磁控管溅射沉积或离子束溅射沉积。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述第一集电器层包括镍，并且限定大于或等于约200 nm至小于或等于约300 nm的第一厚度；以及

所述第二集电器层包括金，并且限定大于或等于约25 nm至小于或等于约100 nm的第二厚度。

4.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括施加与所述第二集电器层接触的电活性层。

5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在所述溅射之前，将掩模层施加到所述第一表面的第一区；以及

在所述溅射之后，从所述第一表面移除所述掩模层，使得所述第一集电器层被设置在所述第一表面的第二区中，所述第二区与所述第一区不同。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述掩模层包括金属、塑料、纤维素或水溶性组合物。

7.根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括：

通过磁体、夹子、临时粘合剂或它们的任何组合将所述掩模层联接到所述隔板层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述溅射包括所述磁控管溅射沉积。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述磁控管溅射沉积还包括与所述溅射同时地冷却所述隔板层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中：

溅射气体的体积流率大于或等于约20每分钟标准立方厘米（sccm）至小于或等于约300sccm；

电压大于或等于约30 V至小于或等于约300 V；以及

沉积压力大于或等于约3毫托（mTorr）至小于或等于约32 毫托。