[发明专利]半导体设备及其工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体设备的工艺腔室，其特征在于，包括：工艺管、电磁加热组件及保温结构；

所述电磁加热组件包括电磁线圈及感应加热器，所述电磁线圈环绕设置于所述工艺管的外周，并且所述电磁线圈的内壁与所述工艺管的外壁之间具有第一预设间距，所述电磁线圈的匝间距沿所述电磁线圈中间向两端依次递减；所述感应加热器设置于所述工艺管内，并且与所述电磁线圈对应设置，所述感应加热器内形成有容置空间，所述感应加热器用于感应所述电磁线圈的磁场而产生热量；

所述保温结构包覆所述感应加热器，并且所述保温结构对应于所述容置空间的位置处开设有传输口。

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述保温结构的外壁与所述工艺管的内壁之间具有第二预设间距。

3.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述感应加热器包括两个相对且间隔设置的加热件，两个所述加热件均为空心结构或者均为实心结构，两个所述加热件之间的间隙形成所述容置空间。

4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述感应加热器整体成柱状，所述保温结构包括保温套筒及保温盖，所述保温套筒套设于所述感应加热器外周上，两个所述保温盖分别嵌入所述保温套筒的两个端口，所述传输口形成于所述保温盖上。

5.如权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述保温套筒包括两个环形半筒，两个所述环形半筒相互搭接构成所述保温套筒。

6.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺管包括内外嵌套安装的内工艺管及外工艺管，所述内工艺管的长度大于所述外工艺管；所述外工艺管的两端均与所述内工艺管外壁密封连接，并且所述外工艺管的内壁与所述内工艺管的外壁之间形成有冷却空间；所述工艺管还包括冷却结构，用于向所述冷却空间内通入冷却介质以及从所述冷却空间中导出所述冷却介质。

7.如权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述冷却结构包括有冷却管组件及回收管组件，所述冷却管组件及所述回收管组件相对于所述内工艺管对称设置，所述冷却管组件用于将所述冷却介质通入所述冷却空间，所述回收管组件用于将所述冷却介质导出所述冷却空间。

8.如权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述冷却管组件及所述回收管组件均包括中间分液管及多个侧方分液管，多个所述侧方分液管对称设置在所述中间分液管的两侧；

所述中间分液管和所述侧方分液管均包括分液段和连接段，所述分液段设置于所述冷却空间内，所述分液段一端封闭，另一端与所述连接段连通，所述连接段一端与所述分液段连通，另一端开口并伸出所述冷却空间；

所述中间分液管的分液段朝向所述侧方分液管侧壁上均开设有多个分液孔；所述侧方分液管的分液段远离所述中间分液管的侧壁上开设有多个分液孔。

9.如权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述分液孔的孔径沿所述分液段的轴向依次递增或依次递减。

10.如权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，

所述冷却管组件包括的所述中间分液管及多个所述侧方分液管的连接段均垂直于所述外工艺管的外壁设置，且各所述连接段的轴线均位于同一平面上，任意两个相邻的所述连接段的轴线之间呈第一预设夹角；

所述回收管组件包括的所述中间分液管及多个所述侧方分液管的连接段均垂直于所述外工艺管的外壁设置，且各所述连接段的轴线均位于同一平面上，任意两个相邻的所述连接段的轴线之间呈所述第一预设夹角。

11.一种半导体设备，其特征在于，包括如权利要求1至10的任一所述的半导体设备的工艺腔室。