[发明专利]篡改检测装置、系统和方法

权利要求书

1.一种用于检测在包装(170)方面的篡改的篡改检测装置(100)，其特征在于，所述装置(100)包括：

第一电极(110)，所述第一电极(110)包括第一经图案化结构(111)；

第二电极(120)，所述第二电极(120)包括第二经图案化结构(121)；

其中所述第一电极(110)和所述第二电极(120)被布置成使得所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)彼此至少部分地相对，

其中，在所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)相对于彼此的第一布置状态下，第一电容是可测量的，

其中，在所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)相对于彼此的第二布置状态下，第二电容是可测量的，

其中所述第一电容不同于所述第二电容，并且

其中所述第一布置状态不同于所述第二布置状态；以及

检测单元(130)，其中所述检测单元(130)被配置成：

测量所述第一电极(110)和所述第二电极(120)之间的电容，

基于测得的电容获得指示所述布置状态的信息，并且

基于指示所述布置状态的所述信息评估是否检测到在所述包装(170)方面的篡改。

2.根据权利要求1所述的篡改检测装置(100)，

其特征在于，指示所述布置状态的所述信息基于由所述电极(110、120)相对于彼此的位移和/或旋转引起的电容变化。

3.根据权利要求1或2所述的篡改检测装置(100)，

其特征在于，当所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)在所述第一布置状态下时，未检测到篡改，其中获得所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)之间的高水平相关性，并且

其中当所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)在所述第二布置状态下时，检测到篡改，其中获得所述第一经图案化结构(111)和所述第二经图案化结构(121)之间的低水平相关性，具体地说

其中在所述第一布置状态下，所述测得的电容处于其最大值或处于其最小值，并且

其中在所述第二布置状态下，所述测得的电容不处于其最大值或处于其最小值。

4.根据在前的任一项权利要求所述的篡改检测装置(100)，

其特征在于，所述第一经图案化结构(111)的图案和所述第二经图案化结构(121)的图案基本上相同。

5.根据在前的任一项权利要求所述的篡改检测装置(100)，

其特征在于，所述第一经图案化结构(111)和/或所述第二经图案化结构(121)包括戈尔德码图案。

6.根据在前的任一项权利要求所述的篡改检测装置(100)，其特征在于，所述第一电极(110)和/或所述第二电极(120)包括以下特征中的至少一项：

多个空间上分离的导电材料图案(151)；

多个空间上分离的介电材料图案(161)；

在介电基板(160)上的多个空间上分离的导电材料图案(151)，和/或

在导电基板(150)上的多个空间上分离的介电材料图案(161)；

在导电基板(150)上的多个空间上分离的导电材料图案(151)；

在导电基板(150)上形成为压印结构(155)的多个空间上分离的导电材料图案(151)。