[发明专利]一种增大注入层间距的方法

说明书

本发明提供一种增大注入层间距的方法原始版图中包含至少两个注入层图形和被注入层图形包裹的多个有源区图形；将相邻两个注入层图形彼此临近的两个边作为目标边，将目标边进行正常偏移，当正常偏移操作使目标边与其最近的有源区图形的间距达到58.5nm及目标边之间的间距小于224nm时，以目标边为长边在注入层内做矩形图形，将有源区图形的尺寸沿其各个边长方向增大58.5nm形成伪有源区图形；将矩形图形与伪有源区图形作减法运算得到boolean偏移操作。本发明对版图中的注入层图形重新定义，对注入层作正常偏移和boolean偏移，在遵循版图设计规则的前提下，使偏移后形成的新的注入层图形能够增加注入层之间的间距，从而抵消光刻中前层反射对当层的影响，防止光刻胶的断裂。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种增大注入层间距的方法。

背景技术

传统的芯片制造过程中，注入层(implant layer)的制作是根据版图上定义的注入层之间的间距，通过光刻胶将图形转移至晶圆上，注入层之间的间距用光刻胶在晶圆上定义，而注入层本身在晶圆上没有光刻胶。因此，对于传统的做法，在光刻曝光和显影后，由于前层的反射对于光刻胶的消耗大，从而造成注入层之间的光刻胶断开，如图1所示，图1显示为现有技术中光刻后注入层之间的光刻胶发生断开的SEM图像。因此，前层的反射对当层的注入层之间的CD影响很大。而注入层之间的版图设计规则是，注入层之间的间距(space)需要大于或等于144nm，注入层的宽度(with)需要大于或等于144nm，注入层(implantlayer)到有源区AA的距离大于或等于58.5nm，因此，如何能够使得遵循版图设计规则的前提下增大注入层之间的间距是亟待解决的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种增大注入层间距的方法，用于解决现有技术中由于注入层版图图形之间间距小，光刻中前层反射对光刻胶消耗大，从而发生光刻胶断裂的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种增大注入层间距的方法，所述方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供原始版图，所述原始版图中包含至少两个注入层图形和被所述注入层图形包裹的多个有源区图形；

步骤二、将所述相邻两个注入层图形彼此临近的两个边作为目标边，所述目标边的间距小于224nm；

步骤三、将所述目标边分别向增大彼此之间间距的方向做整条边的正常偏移，当所述正常偏移使得所述目标边之间的间距达到224nm并且所述目标边与其最近的有源区图形之间的间距大于或等于58.5nm时，停止所述正常偏移操作，此时得到的所述目标边的间距为所述注入层图形间距的最终结果；

当所述正常偏移操作使得所述目标边与其最近的有源区图形之间的间距达到58.5nm并且所述目标边之间的间距小于224nm时，进行步骤四，此时执行所述正常偏移操作的偏移量为正常偏移量A，该正常偏移量A小于40nm；

步骤四、将进行了正常偏移操作后的目标边分别向增加彼此之间间距的方向以所述目标边为长边在所述注入层内做矩形图形，所述矩形图形的短边长度为40nm；

步骤五、将所述有源区图形的尺寸沿其各个边长方向增大58.5nm形成伪有源区图形；

步骤六、将所述矩形图形与所述伪有源区图形作减法运算得到boolean偏移操作，得到的边与其临近的所述目标边之间的距离为boolean偏移量B；所述正常偏移量A与所述boolean偏移量B之和为所述注入层图形最终偏移量；所述矩形图形与所述伪有源区图形作减法运算得到的边作为所述注入层图形最终彼此临近的边；所述注入层图形最终彼此临近的边之间的间距为所述注入层图形间距的最终结果。

优选地，步骤一中的所述原始版图中，所述相邻两个注入层之间的间距为144nm。